碳化硅器件性能優(yōu)化：結合少子壽命檢測結果，可以指導SiC器件的設計和制造過程，優(yōu)化器件性能，提高成品率和可靠性。

 在超高壓工作條件下前景廣闊的雙極型SiC器件中，載流子壽命是影響器件性能的一個重要參數(shù)。表面復合是載流子壽命的限制因素之一，器件的設計和制造工藝的開發(fā)需要表面復合速度的定量值。

然而，在雙極SiC器件的開發(fā)中，有幾個困難需要克服，例如抑制退化和改進pn結的制造技術。其中一個重要的困難是控制載流子壽命。載流子壽命直接影響電導率調(diào)制行為；因此，器件的導通電阻和開關損耗取決于載流子壽命。

通過少子壽命值，確定了4H-SiC的Si面和C面的表面復合速度(S)及其溫度依賴性，研究者相信對表面復合速度定量值的全方面調(diào)查和討論將支持未來雙極SiC器件設計和開發(fā)的改進³。 

隨著SiC型IGBT的耐壓越來越高，要求少子壽命足夠高，以進行有效的電導調(diào)制，從而降低器件的正向導通壓降和導通電阻，但是同時也追求更高的開關速度，即希望反向恢復時間越短越好，這又要求少子壽命足夠低。如何在低的正向導通壓降和低的開關損耗之間進行折衷，是IGBT設計的關鍵。 

通過選擇合適的緩沖層厚度，通過局部控制器件漂移區(qū)和緩沖層的壽命，進行4H-SiC型n-IGBT功耗的優(yōu)化。

4H-SiC n-IGBT正向導通壓降和關斷損耗的權衡曲線

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