介質(zhì)損耗正切tanδ測量的意義

通過測量tanδ，可以反映出絕緣的一系列缺陷，如絕緣受潮，油或浸漬劑臟污或老化變質(zhì)，絕緣中有氣隙發(fā)生放電等。這時(shí)，流過絕緣的電流中有功電流分量增大了，tanδ也加大。絕緣中存在氣隙這種缺陷，最好通過做tanδ與外加電壓的關(guān)系曲線tanδ~U 來發(fā)現(xiàn)。例如對于電機(jī)線棒，如果絕緣老化，氣隙較多，則tanδ~U將呈明顯的轉(zhuǎn)折。Uc代表較多氣隙開始放電時(shí)的外加電壓，從tanδ增加的陡度可反映出老化的程度。

測量原理

tanδ是反映絕緣功率損耗大小的特性參數(shù)，與絕緣的體積大小無關(guān)。如果絕緣內(nèi)的缺陷不是分布性而是集中性的，則測量tanδ有時(shí)反映就不靈敏。被試絕緣的體積越大，或集中性缺陷所占的體積越小，那么集中性缺陷處的介質(zhì)損耗占被試絕緣全部電介質(zhì)中的比重就越小，而Ic一般幾乎是不變的，故可知，總體的tanδ增加得也越少，這樣，測 tanδ法就越不靈敏。對于像電機(jī)、電纜這類電氣設(shè)備，由于運(yùn)行中故障多數(shù)為集中性缺陷發(fā)展所致，而且被試絕緣的體積較大，tanδ法效果就差，而套管的體積小，tanδ法不僅可以反映套管絕緣的全面情況，而且有時(shí)可以檢查出其中的集中性缺陷。

當(dāng)被試品絕緣由不同的電介質(zhì)組成，例如由兩種不同的絕緣部分并聯(lián)組成時(shí)，因被試品總的介質(zhì)損耗為其兩個組成部分介質(zhì)損耗之和，且被試品所受電壓即為各組成部分所受的電壓，可知C2/Cx越小，則C2中的缺陷（tanδ2增大）在測整體的tanδ時(shí)越難發(fā)現(xiàn)。故對于可以分解為各個絕緣部分的被試品，常用分解進(jìn)行tanδ測量的方法。例如測變壓器 tanδ時(shí)，對套管的tanδ單獨(dú)進(jìn)行測量可以有利于發(fā)現(xiàn)套管的缺陷，否則，由于套管的電容比變壓器繞組的電容小得多，在測量變壓器繞組連同套管的tanδ時(shí)，就不易反映套管內(nèi)的缺陷。

在通過 tanδ值判斷絕緣狀況時(shí)，仍然需要著重于與該設(shè)備歷年(相近溫度下)的tanδ值相比較以及和處于同樣運(yùn)行條件下的同類型設(shè)備相比較。即使tanδ值未超過標(biāo)準(zhǔn)，但和過去比以及和同樣運(yùn)行條件的其他設(shè)備比，若tanδ突然明顯增大時(shí)，就必須認(rèn)真對待，不然也會在運(yùn)行中發(fā)生事故。

測量儀器

北京航天偉創(chuàng)設(shè)備科技有限公司生產(chǎn)的LDJD系列介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀，可以測量固體、液體、粉體的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗正切tanδ值。