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碳化硅半導(dǎo)體材料屬Ⅳ族化合物半導(dǎo)體。為共價(jià)鍵晶體，有閃鋅礦型和鉛鋅礦型兩種結(jié)晶形式。?碳化硅的電阻率范圍?通常在0.005Ω·cm到200Ω·cm之間。?
測量方法
?非接觸渦流法?是一種常用的測量導(dǎo)電碳化硅單晶片電阻率的方法。這種方法適用于200μm到1000μm厚的碳化硅單晶片，能夠測量電阻率在0.005Ω·cm到200Ω·cm和表面電阻在0.032 Ω/□到3000Ω/□的范圍內(nèi)的樣品。
影響因素
碳化硅的電阻率受其純度和雜質(zhì)含量的影響。純度越高，雜質(zhì)含量越少，電阻率越高。此外，碳化硅的制備方法和處理過程也會(huì)對(duì)其電阻率產(chǎn)生影響。例如，不同的制備方法可能導(dǎo)致碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)和缺陷不同，從而影響其電學(xué)性能。
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