基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法主要包括以下幾個(gè)方面：

一、晶圓片制備優(yōu)化

多次減薄處理：

采用不同材料的漿液和磨盤(pán)對(duì)石英玻璃進(jìn)行多次減薄處理，可以制備出預(yù)設(shè)厚度小于70μm且厚度均勻性TTV為±0.5μm的晶圓片結(jié)構(gòu)。

這種方法避免了石英玻璃本身機(jī)械性能脆弱易導(dǎo)致晶圓片結(jié)構(gòu)碎裂的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)保證了晶圓片結(jié)構(gòu)正面電路的完整性。

拋光處理：

對(duì)多次減薄處理后的石英玻璃進(jìn)行拋光處理，可以使表面粗糙度小于預(yù)設(shè)閾值，如表面粗糙度Ra小于1nm。

拋光處理能顯著增加散熱金屬層電鍍的致密性和附著力，從而有效改善晶圓片結(jié)構(gòu)工作時(shí)的散熱能力。

二、外延生長(zhǎng)方法改進(jìn)

MOCVD法：

MOCVD（金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法）是一種常用的外延生長(zhǎng)方法。通過(guò)優(yōu)化MOCVD工藝參數(shù)，如反應(yīng)溫度、反應(yīng)物濃度和載氣流速等，可以獲得高質(zhì)量的外延GaN薄膜。

MOCVD法制備的產(chǎn)量大，生長(zhǎng)周期短，適合用于大批量生產(chǎn)。但生長(zhǎng)完畢后需要進(jìn)行退火處理，且得到的薄膜可能會(huì)存在裂紋，影響產(chǎn)品質(zhì)量。

MBE法：

MBE（分子束外延法）可以在較低的溫度下實(shí)現(xiàn)GaN的生長(zhǎng)，有利于減少反應(yīng)設(shè)備中NH3的揮發(fā)程度。

但MBE法的生長(zhǎng)速率較慢，不能滿足大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)的要求。同時(shí)，當(dāng)采用等離子體輔助方式時(shí)，容易造成高能離子對(duì)薄膜的損傷。

HVPE法：

HVPE（氫化物氣相外延法）生長(zhǎng)速度快，且生長(zhǎng)的GaN晶體質(zhì)量較好。但高溫反應(yīng)對(duì)生產(chǎn)設(shè)備、生產(chǎn)成本和技術(shù)要求都比較高。

三、其他輔助措施

襯底選擇與處理：

選擇合適的襯底材料，如Si襯底，并對(duì)其進(jìn)行適當(dāng)?shù)念A(yù)處理，如清洗和拋光等，以提高外延生長(zhǎng)的質(zhì)量和均勻性。

溫度控制：

在外延生長(zhǎng)過(guò)程中，精確控制反應(yīng)腔內(nèi)的溫度是至關(guān)重要的。可以采用溫度傳感器（如UV 400系統(tǒng)）來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)外延片表面的溫度，以提高溫度控制的精度和穩(wěn)定性。

氣氛控制：

控制反應(yīng)腔內(nèi)的氣氛，如NH3的分壓和載氣的流量等，以優(yōu)化外延生長(zhǎng)的條件。

后續(xù)處理：

在外延生長(zhǎng)完成后，對(duì)晶圓片進(jìn)行后續(xù)的退火、清洗和檢測(cè)等處理，以確保其質(zhì)量和性能符合要求。

綜上所述，基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法涉及晶圓片制備優(yōu)化、外延生長(zhǎng)方法改進(jìn)以及其他輔助措施等多個(gè)方面。通過(guò)綜合運(yùn)用這些方法和技術(shù)，可以制備出高質(zhì)量、高性能的GaN外延晶圓片。

四、高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術(shù)指標(biāo)。

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù)，傳統(tǒng)上下雙探頭對(duì)射掃描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片，一次性測(cè)量所有平面度及厚度參數(shù)。

1,靈活適用更復(fù)雜的材料，從輕摻到重?fù)?P 型硅 (P++)，碳化硅，藍(lán)寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重?fù)叫凸瑁◤?qiáng)吸收晶圓的前后表面探測(cè)）

粗糙的晶圓表面，（點(diǎn)掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測(cè)方案，不易受到光譜中相鄰單位的串?dāng)_噪聲影響，因而對(duì)測(cè)量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過(guò)對(duì)偏振效應(yīng)的補(bǔ)償，加強(qiáng)對(duì)低反射晶圓表面測(cè)量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時(shí)測(cè)量多層結(jié)構(gòu)，厚度可從μm級(jí)到數(shù)百μm 級(jí)不等。 

可用于測(cè)量各類薄膜厚度，厚度可低至4μm ，精度可達(dá)1nm。

1，可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現(xiàn)在復(fù)雜工作環(huán)境中抗干擾能力強(qiáng)，一改過(guò)去傳統(tǒng)晶圓測(cè)量對(duì)于“主動(dòng)式減震平臺(tái)”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運(yùn)動(dòng)控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測(cè)量。