控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度的方法主要包括以下幾種：

一、拋光設備和技術

雙面拋光設備：

使用雙面拋光設備對晶圓進行加工，這種設備能同時控制工件的兩面，有效地避免應力差與粘結誤差引起的變形問題。

化學機械拋光（CMP）技術：

CMP技術結合了化學腐蝕和機械研磨的雙重作用，可以在晶圓表面形成一層化學反應層，并通過機械研磨去除這層反應層，從而實現(xiàn)晶圓表面的平坦化。

采用CMP技術時，需要精確控制拋光液的濃度、流速、pH值以及拋光墊的材料等參數(shù)，以獲得良好的拋光效果。

二、優(yōu)化拋光工藝參數(shù)

拋光時間：

拋光時間的長短直接影響晶圓表面的平坦度。需要根據(jù)晶圓的初始狀態(tài)和目標平坦度要求，合理設定拋光時間。

壓力控制：

在拋光過程中，晶圓和拋光墊之間的壓力是影響拋光效果的關鍵因素之一。需要精確控制拋光壓力，以確保晶圓表面各處的拋光速率一致。

旋轉速度：

拋光時晶圓和拋光墊的旋轉速度也會影響拋光效果。需要合理設定旋轉速度，以獲得均勻的拋光效果。

三、采用特殊的加工工藝

分階段研磨：

采用多個研磨階段，如粗研磨、精研磨和拋光等，逐步去除晶圓表面的不平整部分，最終實現(xiàn)高平坦度。

特殊拋光液：

使用特制的拋光液，如含有特定顆粒大小和濃度的拋光粉，以優(yōu)化拋光效果。

拋光墊選擇：

選擇合適的拋光墊材料，如聚氨酯拋光墊，并根據(jù)拋光需求調整拋光墊的硬度和粗糙度。

四、質量控制與監(jiān)測

在線監(jiān)測：

在拋光過程中，采用非接觸式在線測量裝置對晶圓厚度進行實時監(jiān)測，以確保拋光過程的穩(wěn)定性和準確性。

最終檢驗：

對拋光后的晶圓進行嚴格的檢驗和測試，如使用掃描電子顯微鏡（SEM）或原子力顯微鏡（AFM）等工具檢查晶圓表面的形貌和粗糙度，以確保其質量符合要求。

綜上所述，控制12寸再生晶圓雙面拋光平坦度需要綜合考慮拋光設備、拋光工藝參數(shù)、加工工藝以及質量控制等多個方面。通過采用良好的拋光設備和技術、優(yōu)化拋光工藝參數(shù)、采用特殊的加工工藝以及加強質量控制與監(jiān)測等措施，可以實現(xiàn)高平坦度的雙面拋光晶圓的生產(chǎn)。

五、高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術指標。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調諧掃頻激光技術，傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片，一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。

1,靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多層結構，厚度可從μm級到數(shù)百μm 級不等。 

可用于測量各類薄膜厚度，厚度可低至4μm ，精度可達1nm。

1，可調諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現(xiàn)在復雜工作環(huán)境中抗干擾能力強，一改過去傳統(tǒng)晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。