靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)，應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)造成過度電應(yīng)力(EOS: Electrical Over Stress)破壞的主要元兇。因為靜電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和性的，會造成電路直接燒毀。所以預(yù)防靜電損傷是所有IC設(shè)計和制造的頭號難題。

靜電，通常都是人為產(chǎn)生的，如生產(chǎn)、組裝、測試、存放、搬運(yùn)等過程中都有可能使得靜電累積在人體、儀器或設(shè)備中，甚至元器件本身也會累積靜電，當(dāng)人們在不知情的情況下使這些帶電的物體接觸就會形成放電路徑，瞬間使得電子元件或系統(tǒng)遭到靜電放電的損壞(這就是為什么以前修電腦都必須要配戴靜電環(huán)托在工作桌上，防止人體的靜電損傷芯片)，如同云層中儲存的電荷瞬間擊穿云層產(chǎn)生劇烈的閃電，會把大地劈開一樣，而且通常都是在雨天來臨之際，因為空氣濕度大易形成導(dǎo)電通到。

那么，如何防止靜電放電損傷呢？首先當(dāng)然改變壞境從源頭減少靜電(比如減少摩擦、少穿羊毛類毛衣、控制空氣溫濕度等)，當(dāng)然這不是我們今天討論的重點(diǎn)。我們今天要討論的是如何在電路里面設(shè)計保護(hù)電路，當(dāng)外界有靜電的時候我們的電子元器件或系統(tǒng)能夠自我保護(hù)避免被靜電損壞(其實(shí)就是安裝一個避雷針)。這也是很多IC設(shè)計和制造業(yè)者的頭號難題，很多公司有專門設(shè)計ESD的團(tuán)隊，今天我就和大家從最基本的理論講起逐步講解ESD保護(hù)的原理及注意點(diǎn)， 你會發(fā)現(xiàn)前面講的PN結(jié)/二極管、三極管、MOS管、全都用上了……

以前的專題講解PN結(jié)二極管理論的時候，就講過二極管有一個特性：正向?qū)ǚ聪蚪刂?不記得就去翻前面的課程)，而且反偏電壓繼續(xù)增加會發(fā)生雪崩擊穿(Avalanche Breakdown)而導(dǎo)通，我們稱之為鉗位二極管(Clamp)。這正是我們設(shè)計靜電保護(hù)所需要的理論基礎(chǔ)，我們就是利用這個反向截止特性讓這個旁路在正常工作時處于斷開狀態(tài)，而外界有靜電的時候這個旁路二極管發(fā)生雪崩擊穿而形成旁路通路保護(hù)了內(nèi)部電路或者柵極(是不是類似家里水槽有個溢水口，防止水龍頭忘關(guān)了導(dǎo)致整個衛(wèi)生間水災(zāi))。那么問題來了，這個擊穿了這個保護(hù)電路是不是就死了？難道是一次性的？答案當(dāng)然不是。PN結(jié)的擊穿分兩種，分別是電擊穿和熱擊穿，電擊穿指的是雪崩擊穿(低濃度)和齊納擊穿(高濃度)，而這個電擊穿主要是載流子碰撞電離產(chǎn)生新的電子-空穴對(electron-hole)，所以它是可恢復(fù)的。但是熱擊穿是不可恢復(fù)的，因為熱量聚集導(dǎo)致硅(Si)被熔融燒毀了。所以我們需要控制在導(dǎo)通的瞬間控制電流，一般會在保護(hù)二極管再串聯(lián)一個高電阻，另外，大家是不是可以舉一反三理解為什么ESD的區(qū)域是不能form Silicide的？還有給大家一個理論，ESD通常都是在芯片輸入端的Pad旁邊，不能在芯片里面，因為我們總是希望外界的靜電需要第一時間泄放掉吧， 放在里面會有延遲的(關(guān)注我前面解剖的那個芯片PAD旁邊都有二極管。甚至有放兩級ESD的，達(dá)到雙重保護(hù)的目的。 

在講ESD的原理和Process之前，我們先講下ESD的標(biāo)準(zhǔn)以及測試方法，根據(jù)靜電的產(chǎn)生方式以及對電路的損傷模式不同通常分為四種測試方式：人體放電模式(HBM: Human-Body Model)、機(jī)器放電模式(Machine Model)、元件充電模式(CDM: Charge-Device Model)、電場感應(yīng)模式(FIM: Field-Induced Model)，但是業(yè)界通常使用前兩種模式來測試(HBM, MM)。