大家都知道，機(jī)器的標(biāo)準(zhǔn)一定就是參數(shù)。把機(jī)器參數(shù)調(diào)試好，才能滿足我們的需求，幫助生產(chǎn)。對于我們來說，機(jī)器是陌生的，但是其中參數(shù)一定要明白清楚。為此，今天帶給大家的就是，大家期待已久的硅片清洗設(shè)備參數(shù)。

硅片清洗設(shè)備參數(shù)一覽

物理參數(shù)

硅片尺寸與容量：設(shè)備應(yīng)能兼容不同尺寸的硅片，如常見的直徑有100mm、150mm、200mm、300mm等，并具有一定的容量，以滿足生產(chǎn)需求。例如北方華創(chuàng)的Saqua系列12英寸堆疊式單片清洗機(jī)可用于90-28nm集成電路前道工藝中的成膜前/后清洗等多種工序。

清洗槽尺寸與數(shù)量：清洗槽的尺寸要能容納相應(yīng)尺寸的硅片，且數(shù)量根據(jù)生產(chǎn)工藝和產(chǎn)量要求而定。多槽清洗設(shè)備可以在不同的槽中進(jìn)行不同的清洗步驟，提高清洗效率和質(zhì)量。

化學(xué)參數(shù)

清洗液類型：常用的清洗液包括硫酸、雙氧水、氫氟酸、氨水等，不同的清洗液組合用于去除不同類型的污染物，如SC-1清洗液（由NH?·H?O、H?O?和H?O混合而成）用于去除顆粒和有機(jī)雜質(zhì)，SC-2清洗液（由HCl、H?O?和H?O混合而成）用于去除金屬離子等無機(jī)雜質(zhì)。

清洗液濃度與溫度：清洗液的濃度和溫度對清洗效果有重要影響，需要精確控制。例如，SC-1清洗液中NH?·H?O的濃度一般在5%-25%之間，溫度控制在70℃-80℃；SC-2清洗液中HCl的濃度一般在1%-10%之間，溫度也在70℃-80℃。

工藝參數(shù)

清洗時間：清洗時間的長短取決于硅片的具體情況和清洗工藝的要求，通常在幾分鐘到幾十分鐘不等。過長的清洗時間可能會對硅片表面造成損傷，而過短的時間則可能導(dǎo)致清洗不佳。

干燥方式：常見的干燥方式有離心甩干、腔內(nèi)潔凈空氣強(qiáng)對流干燥、馬蘭戈尼干燥、熱氮?dú)飧稍铩惐細(xì)庀喔稍锏?。不同的干燥方式適用于不同的情況，如離心甩干一般用于200mm及以下尺寸硅片干燥，200/300mm硅片通常采用異丙醇?xì)庀喔稍锘蝰R蘭戈尼干燥。

機(jī)械參數(shù)

機(jī)械臂數(shù)量與精度：對于全自動硅片清洗設(shè)備，機(jī)械臂的數(shù)量和精度是重要的參數(shù)。多個機(jī)械臂可以實(shí)現(xiàn)硅片的自動上料、下料、傳遞等操作，提高生產(chǎn)效率和自動化程度。機(jī)械臂的精度高，能夠保證硅片在清洗過程中的準(zhǔn)確定位和平穩(wěn)運(yùn)行，避免因碰撞等原因造成硅片損壞。

拋動清洗功能：拋動清洗可以使硅片與清洗液充分接觸，提高清洗效果。通過設(shè)置拋動機(jī)構(gòu)，使硅片在清洗槽中上下或水平拋動，增強(qiáng)清洗液的擾動和沖擊力，從而更好地去除硅片表面的污染物。