我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對 B 的高靈敏度分析，B 用于通用存儲器和磁頭等磁性材料。 如果使用 FP 方法，也可以同時分析薄膜厚度和成分。

能夠分析超薄膜

在 MRAM 中的重要材料 MgO 薄膜中，可以高精度地區(qū)分 0.1 nm 的薄膜厚度差異。 未來，預(yù)計薄膜將變薄至約 0.5 nm，但 AZX 400 可用于充分分析。

多層薄膜分析

AZX 400 能夠使用 FP 方法對多達(dá) 10 層層壓薄膜進(jìn)行全層分析。 在 STT-MRAM 的情況下，除了 MgO 和 CoFeB 的重要膜外，還可以在單個配方中分析 Ta、Ru、PtMn 等。

使用靈敏度庫進(jìn)行無標(biāo)樣分析

對于標(biāo)準(zhǔn)品制備困難的應(yīng)用，使用 SQX 軟件（可選）進(jìn)行半定量分析非常有用。 由于還考慮了晶圓分析的干涉衍射線的影響，并且可以選擇多個光譜，因此可分析的薄膜厚度比以前寬了一個數(shù)量級。

兼容各種樣品形狀，從大樣品到切割晶圓

使用大型樣品室可容納*大 φ400 mm × 50 （H） mm（*大重量 30 kg）的樣品尺寸。 適配器適用于各種樣品形狀。 從 300mm 晶圓的大型濺射靶材到切割晶圓，我們都可以用一個單元靈活地處理它們。

晶圓裝載機(jī)的自動輸送（新）

從 300 mm FOUP 到 100 mm 開口包埋盒（可選）。 可以進(jìn)行全自動分析，例如在夜間進(jìn)行分析，從而提高分析工作的效率。

配備 CCD 攝像頭，用于樣品觀察

CCD 相機(jī)（可選）可以測量對準(zhǔn)異物和圖案的點(diǎn)。 可以在查看圖像時設(shè)置*小直徑為 φ0.5 mm 的任何測量點(diǎn)。 面內(nèi)分布測量可在一次測量中執(zhí)行多達(dá) 999 個點(diǎn)。 結(jié)合高精度樣品臺，可實(shí)現(xiàn) 0.1 mm 步長的分析。

由經(jīng)過驗(yàn)證的軟件提供支持

基于其他型號采用并已在數(shù)百臺設(shè)備上使用的軟件，它實(shí)現(xiàn)了多種用戶友好的功能。

SEMI 標(biāo)準(zhǔn)品收購

它是 SEMI 認(rèn)證的儀器，為**半導(dǎo)體制造應(yīng)用設(shè)定了標(biāo)準(zhǔn)。

AZX 400 應(yīng)用

?濺射靶材成分
和絕緣膜：SiO2、BPSG、PSG、AsSG、Si?N?、SiOF、SiON等
高介電常數(shù)和鐵電薄膜：PZT、BST、SBT、Ta?O?、HfSiOx
?金屬薄膜：Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni 等。
?電極薄膜：摻雜多晶硅（摻雜劑：B、N、O、P、As）、非晶硅、WSix、Pt 等。
其他摻雜薄膜（As、P）、捕獲惰性氣體（Ne、Ar、Kr 等）、C （DLC）、
鐵電薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR。 PCM、GST、GeTe
、焊點(diǎn)的組成：SnAg、SnAgCuNi
、MEMS：ZnO、AlN、PZT、SAW 器件的厚度和組成
工藝：AlN、ZnO、ZnS、SiO ?（壓電薄膜）的厚度和組成 Al、AlCu、AlSc、AlTi（電極膜）