1.CP測試的流程

       晶圓片放置在Chuck臺上并移動到相機采集圖像的位置，根據(jù)采集到的圖像計算出晶圓的圓心位置，晶粒排列方向，然后旋轉(zhuǎn)Chuck臺使晶粒排列方向與X軸同向；

       測試時移動Chuck臺使探針與晶粒焊盤準(zhǔn)確接觸，上位機向測試機發(fā)送開始測試信號，測試機開始測試并將結(jié)果返回給上位機，上位機根據(jù)測試結(jié)果決定是否進行重測或進行打點標(biāo)記，完成一個晶粒的測試；

       然后上位機控制Chuck臺移動至下一個晶粒位置繼續(xù)測試；

       測完一行的晶粒后，向Y軸移動換一行直至測 全部晶粒。

2.晶圓中心檢測

       為了獲取到晶圓的中心，可連續(xù)在三個不同的位置進行晶圓邊界檢測，獲取三個邊界點A、B和C。然后分別做AB和BC的中垂線，根據(jù)三點定圓原理，即可求出晶圓的圓心位置。晶圓邊界的提取可分為三部分： 圖像二值化、圖像腐蝕、邊緣提取。

3.晶圓調(diào)平

       晶圓片放到Chuck臺上，晶粒排列方向與X軸運動方向存在一個傾角，需要將晶圓擺正，使晶粒的排列方向與X軸同向，這樣在進給運動的時候，只需要做X向或Y向運動，簡化了探針測試的運動控制。

       為了計算晶粒方向的傾角，需要確定同一行內(nèi)兩個晶粒位置，計算出兩個晶粒的X向位移d和Y向位移Δy，然后用公式tanθ=Δy/d計算出傾角。然后旋轉(zhuǎn)R軸便可以實現(xiàn)晶圓調(diào)平。

       中冷低溫研發(fā)的溫度卡盤TC系列是一款溫度范圍為-65℃到200℃氣冷型高低溫卡盤系統(tǒng)，主要由氣冷高低溫卡盤和氣冷溫控器組成。系統(tǒng)具有寬泛的溫度控制范圍、緊湊的冷卻套件、純空氣制冷、高溫度精度與穩(wěn)定性控制等特性，廣泛應(yīng)用于八英寸及以下尺寸的半導(dǎo)體器件或晶圓的變溫電學(xué)性能關(guān)鍵參數(shù)分析，如:功率器件建模測試、晶圓可靠性評估、生產(chǎn)型變溫檢測，變溫光電測試、射頻變溫測試等。

關(guān)鍵特征:

·僅使用空氣冷卻一無液體或帕爾貼元件

·溫度范圍為-65℃到200℃

·模塊化系統(tǒng)，適合單獨測試的需要

·冷卻劑占地面積小，節(jié)省空間

·兼容各大主流生產(chǎn)型或分析型探針臺

·可集成全套的軟硬件于一體