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Compact ALD 臺(tái)式原子層沉積鍍膜系統(tǒng)
- 公司名稱 科睿設(shè)備有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) Compact ALD
- 產(chǎn)地 韓國
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/8/23 11:35:02
- 訪問次數(shù) 1654
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光刻機(jī),鍍膜機(jī),磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測(cè)量),氣溶膠設(shè)備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),原子層沉積系統(tǒng)(ALD),快速退火爐,氣溶膠發(fā)生器,稀釋器,濾料測(cè)試系統(tǒng)
價(jià)格區(qū)間 | 10萬-50萬 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子 |
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該臺(tái)式原子層沉積鍍膜系統(tǒng)ALD擁有達(dá)到或超過市場(chǎng)上其他品牌的功能,同時(shí)易于使用和維護(hù) - 成本低于當(dāng)今市場(chǎng)上的價(jià)格
腔室溫度:室溫到325°C±1°C;
前軀體溫度從室溫到 150 °C ± 2 °C(帶加熱夾套)
市場(chǎng)上最小的占地面積(2.5 平方英尺),臺(tái)式 安裝和潔凈室兼容
簡單的系統(tǒng)維護(hù)和實(shí)用程序和 市場(chǎng)上的前體使用
流線型腔室設(shè)計(jì)和小腔室體積
快速循環(huán)能力
全硬件和軟硬件聯(lián)鎖,即使操作安全 在多用戶環(huán)境中
臺(tái)式原子層沉積鍍膜系統(tǒng)用于電子顯微鏡的樣品通常受益于薄膜的添加。它通常是導(dǎo)電材料,例如Pt,Pd或Au。這些導(dǎo)電層有助于抑制電荷,減少局部光束加熱引起的熱損傷,并改善二次電子信號(hào)。
傳統(tǒng)上,這些薄膜是使用PVD技術(shù)生長的。隨著技術(shù)的進(jìn)步,某些類型的樣品不能通過PVD提供,因?yàn)樾枰繉拥奶卣鳠o法進(jìn)入現(xiàn)場(chǎng)生長線。
研究人員將受益于ALD生長的導(dǎo)電薄膜,因?yàn)橐呀?jīng)開發(fā)出針對(duì)小樣品導(dǎo)電金屬生長進(jìn)行了優(yōu)化的系統(tǒng)(與臺(tái)式濺射的價(jià)格點(diǎn)相同)
為保形導(dǎo)電薄膜提供了用于 3D 樣品制備的解決方案,同時(shí)還提供目前使用濺射/蒸發(fā)生長的傳統(tǒng) 2D 鍍膜。我們不僅突破了界限,而且是當(dāng)前樣品制備過程的有效替代品,所有這些都在臺(tái)式配置中,價(jià)格相當(dāng)。
熱ALD / PEALD
沉積工藝:
金屬:Ru、Ti、Co、…
氧化物:Al2O3、HfO2、TiO2、SnO2、NiOx、ZnO、ZrO、SiO2、RuO、,。。。
氮化物:TiN、TaN等,。。
基板尺寸:工件最大為6英寸
源注入:雙型噴頭
基板加熱器溫度:RT至最高350℃(@晶片)
前軀體化學(xué)源數(shù)量:3套
源瓶加熱:RT至150℃
射頻功率:600W@13.56Mhz
極限壓力:≤5.0×10-3乇
泵:干式泵或旋轉(zhuǎn)泵
沉積均勻度:≤±3%
系統(tǒng)控制:PC控制(UPRO軟件)
可選 源瓶加熱溫度200℃
尺寸(寬*長*高)850mm*720mm*600mm