首頁(yè)>>中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司>>產(chǎn)品展示>>晶體產(chǎn)品>>Ⅲ-Ⅴ族晶體基片
氮化鎵（GaN）晶體基片 參考價(jià)：面議
GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶，能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG（因?yàn)?-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子...
進(jìn)口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片 參考價(jià)：面議
進(jìn)口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片
鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片 參考價(jià)：面議
鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片
鋁酸鎂（MgAl2O4）晶體基片 參考價(jià)：面議
鋁酸鎂（尖晶石）單晶廣泛應(yīng)用于聲波和微波器件及快速IC外延基片。同時(shí)研究發(fā)現(xiàn)它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結(jié)構(gòu)而難...
AL2O3晶棒 參考價(jià)：面議
AL2O3晶棒(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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