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新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ
| Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的進設(shè)計理念，新代高性能激光浮區(qū)爐（型號：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能，將浮區(qū)法晶體生長技術(shù)推向個全新的高度！
應(yīng)用域 可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學、半導(dǎo)體、光學等多種學科域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。 |
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激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學、半導(dǎo)體、光學等多種學科域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作，跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比，Quantum Design公司推出的新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)勢：
● 采用全新五束激光設(shè)計，確保熔區(qū)能量分布更加均勻
● 更加科學的激光光斑化方案，有助于降低晶體生長過程中的熱應(yīng)力
● 采用了*的實時溫度集成控制系統(tǒng)
RIKEN（CEMS）設(shè)計的五束激光發(fā)生器原型機實物
新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)：
| 加熱控制 | 加熱類型 | 5束激光 |
| 激光功率 | 2KW | |
| 熔區(qū)溫度 | 2600℃ ~ 3000℃* | |
| 溫度穩(wěn)定性 | +/-1℃ | |
| 晶體生長控制 | 晶體生長設(shè)計長度可達 | 150mm* |
| 晶體生長設(shè)計直徑可達 | 8mm* | |
| 晶體生長速度/轉(zhuǎn)速可達 | 300mm/hr; 100rpm | |
| 樣品腔可施加壓力可達 | 10bar | |
| 樣品腔氣氛 | 多種氣路（O2/Ar/混合氣等）可供選配 | |
| 晶體生長監(jiān)控 | 高清攝像頭 | |
| 晶體生長控制 | PC控制 |
*具體取決于材料及實驗條件
應(yīng)用案例
采用新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長出的部分單晶體應(yīng)用案例：
Ruby
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Dy2Ti2O7
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BaTiO3
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Sr2RuO4
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SmB6
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Ba2Co2Fe12O22
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Y3Fe5O12
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* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
用戶單位
東京大學
日本國立材料研究所
