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該儀器是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
產(chǎn)品分類品牌分類
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
便攜式四探針測(cè)試儀 LY.4-2A 概述：
LY.4-2/LY.4-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。
本儀器廣泛應(yīng)用于太陽能單晶（多晶）生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測(cè)試，半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
便攜式四探針測(cè)試儀 LY.4-2A 技術(shù)指標(biāo)：
便攜式四探針測(cè)試儀按測(cè)量范圍可選配LY.4-2型或LY.4-2A型，區(qū)別：測(cè)量范圍不一樣。
LY.4-RTS-2測(cè)量范圍 電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；
方塊電阻：0.1～19999Ω/□；
LY.4-RTS-2A測(cè)量范圍 電阻率：0.001～199.99Ω.cm；
方塊電阻：0.01～1999.9Ω/□；
LY.4-RTS-2恒流源 電流量程分為100μA、1mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
LY.4-RTS-2A恒流源 電流量程分為1mA、10mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表 參數(shù)：
量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)
間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓（總力）；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) （見探頭附帶的合格證）
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差 （ 按JJG508-87進(jìn)行） 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差（用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試）≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5%
外型尺寸 125mm（寬）*145mm（高）*245mm（深）
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度：23±2℃；
相對(duì)濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強(qiáng)光直射；