目錄:北京中顯恒業(yè)儀器儀表有限公司>>澤攸科技電子顯微鏡>>TEM原位解決方案>> 原位MEMS低溫電學(xué)測量系統(tǒng)
| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 鎢燈絲或六硼化鑭 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
產(chǎn)品描述
PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)樣品桿，是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊，實(shí)現(xiàn)低溫電學(xué)測量或全溫區(qū)測量功能。
透射電子顯微鏡指標(biāo)：
△ 兼容型號電鏡及極靴；
△ 單傾可選高傾角版本；
△ 可選雙傾版本，β角傾轉(zhuǎn)±25°（同時(shí)受限于極靴）；
△ 測量電極數(shù)可選。
電學(xué)測量指標(biāo)：
△ 包含一個(gè)電流電壓測試單元；
△ 電壓輸出最大±200 V，最小±100 nV；
△ 電流測量最大±1.5 A，最小100 fA；
△ 恒壓或者恒流模式；
△ 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時(shí)間（I-t）測量，自動保存。
低溫指標(biāo)：
△ 兼容MEMS加熱及電學(xué)芯片；
△ 全溫區(qū)測量，溫度范圍：85 K- 380 K；
△ 控溫穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 K；
△ 溫度連續(xù)可控
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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