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泰州巨納新能源有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第4年

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  • MoS2 大尺寸二硫化鉬晶體 1

    Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor (1.2 eV) but becomes highly lumine...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥4284.15更新時(shí)間：2024/6/2 19:12:57 對(duì)比
    15x20mm
  • MoS2 大尺寸二硫化鉬晶體

    Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor (1.2 eV) but becomes highly lumine...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥3405.35更新時(shí)間：2024/6/2 19:10:47 對(duì)比
    大尺寸二硫化鉬晶體
  • 天然二硫化鎢晶體

    Tungsten disulfide (2H-WS2) crystals are extremely rare in nature and are less t...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥13401.7更新時(shí)間：2024/6/2 19:08:50 對(duì)比
    天然二硫化鎢晶體
  • N型二硫化鉬晶體

    Years of growth optimization lead to our flawless n-type MoS2 crystals through A...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥6700.85更新時(shí)間：2024/6/2 19:07:15 對(duì)比
    N型二硫化鉬晶體
  • ZrS2 二硫化鋯晶體 1

    Zirconium disulfide (ZrS?) is an indirect gap layered semiconductor in the bulk ...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7469.8更新時(shí)間：2024/6/2 19:05:20 對(duì)比
    ZrS2 二硫化鋯晶體
  • P型二硫化鉬晶體

    More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport (CVT) as w...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥6700.85更新時(shí)間：2024/6/2 19:03:14 對(duì)比
    P型二硫化鉬晶體
  • 三硫化鈦晶體

    Anisotropic transition metal trichalcogenide material TiS3 is available at 2Dsem...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7030.4更新時(shí)間：2024/6/2 19:01:35 對(duì)比
    TiS3 三硫化鈦晶體
  • TiS3 三硫化鈦晶體

    Anisotropic transition metal trichalcogenide material TiS3 is available at 2Dsem...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7030.4更新時(shí)間：2024/6/2 18:59:36 對(duì)比
    TiS3 三硫化鈦晶體
  • 硫化硅鋯晶體

    ZrSiS as a theoretically predicted and experimentally proven Dirac semimetal, ex...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥8458.45更新時(shí)間：2024/6/2 18:57:17 對(duì)比
    硫化硅鋯晶體
  • 三硫化二銦晶體

    Gamma layered phase of In2S3 is a direct gap semiconductor with an optical band ...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7579.65更新時(shí)間：2024/6/2 18:55:22 對(duì)比
    三硫化二銦晶體
  • 三硫化磷鎳晶體

    NiPSe3 is a quasi-two-dimensional antiferromagnet in the bulk form while it's ma...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7030.4更新時(shí)間：2024/6/2 18:53:24 對(duì)比
    三硫化磷鎳晶體
  • N型二硫化鎢晶體

    14 years of growth optimization in chemical vapor transport (CVT) as well as flu...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥8238.75更新時(shí)間：2024/6/2 18:51:11 對(duì)比
    二硫化鎢晶體
  • 小尺寸二硫化鉬晶體 10x10mm

    Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor (1.2 eV) but becomes highly lumine...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2251.93更新時(shí)間：2024/6/2 18:49:16 對(duì)比
    二硫化鉬晶體
  • TiS2 二硫化鈦晶體 (Titanium Disulfide)

    Our TiS2 crystals are stabilized in 1T ohase (semimetallic phase). They are grow...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7579.65更新時(shí)間：2024/6/2 18:32:55 對(duì)比
    二硫化鈦晶體
  • ReS2 二硫化錸晶體 (Rhenium Disulfide)

    Single crystal ReS? (Rhenium disulfide) crystals are developed at our facilities...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7469.8更新時(shí)間：2024/6/2 18:30:55 對(duì)比
    二硫化錸晶體
  • WS2 二硫化鎢晶體 (Tungsten Disulfide)

    14 years of growth optimization in chemical vapor transport (CVT) as well as flu...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7469.8更新時(shí)間：2024/6/2 18:29:14 對(duì)比
    WS2 二硫化鎢晶體
  • HfS2 二硫化鉿晶體 (Hafnium Disulfide)

    Hafnium disulfide (HfS?) is an indirect gap layered semiconductor in the bulk an...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7579.65更新時(shí)間：2024/6/2 18:27:39 對(duì)比
    HfS2 二硫化鉿晶體
  • GaS 硫化鎵晶體 (Gallium Sulfide)

    Large size hexagonal phase GaTe (Gallium telluride) crystals have been developed...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2024/6/2 18:25:58 對(duì)比
    GaS 硫化鎵晶體
  • p-type WS2 crystals P型二硫化鎢晶體

    More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport (CVT) as w...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥8238.75更新時(shí)間：2024/6/2 18:23:43 對(duì)比
    P型二硫化鎢晶體
  • GeS 硫化鍺晶體 (Germanium Sulphide)

    Our single crystal GeS (Germanium sulfide) crystals come with guaranteed optical...

    型號(hào)： 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥6700.85更新時(shí)間：2024/6/2 18:22:10 對(duì)比
    GeS 硫化鍺晶體
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