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基于柔性PET基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜
基于柔性PET基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）

型號(hào)： 10*10mm 所在地：泰州市參考價(jià)： ￥4160更新時(shí)間：2024/6/3 19:01:08 對(duì)比

二硫化鉬薄膜
三角形單層二硫化鎢（10*10mm）-襯底可選
三角形單層二硫化鎢（10*10mm）-襯底可選

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥3760更新時(shí)間：2024/6/3 18:56:55 對(duì)比

單層二硫化鎢
單層二硫化鎢（10x10mm）連續(xù)薄膜-襯底可選
單層二硫化鎢（10x10mm）連續(xù)薄膜-襯底可選

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥3760更新時(shí)間：2024/6/3 18:54:49 對(duì)比

單層二硫化鎢
三角形單層二硒化鎢（10*10mm）-襯底可選
材料簡(jiǎn)介：二硒化鎢(WSe2)是和石墨烯類(lèi)似的層狀二維結(jié)構(gòu)薄膜。

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥4400更新時(shí)間：2024/6/3 18:53:07 對(duì)比

三角形單層二硒化鎢
單層二硫化錸（10x10mm）連續(xù)薄膜-襯底可選
單層二硫化錸（10x10mm）連續(xù)薄膜-襯底可選

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥4400更新時(shí)間：2024/6/3 18:51:26 對(duì)比

單層二硫化錸
德國(guó)2DNext大面積機(jī)械剝離單層材料
尺寸：100*100um德國(guó)2D Next主要提供機(jī)械剝離的超大尺寸二維材料，可以提供在眾多基底上的轉(zhuǎn)移技術(shù)，如二氧化硅，藍(lán)寶石，CVD金剛石等，可用材料包括M...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥13520更新時(shí)間：2024/6/3 18:49:54 對(duì)比

100*100um
基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜
基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上尺寸：1cmx1cm; 8片將每個(gè)石墨烯...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7140.25更新時(shí)間：2024/6/3 18:33:58 對(duì)比

CVD石墨烯薄膜8片狀
德國(guó)2DNext大面積機(jī)械剝離2L/3L材料
德國(guó)2D Next主要提供機(jī)械剝離的超大尺寸二維材料，可以提供在眾多基底上的轉(zhuǎn)移技術(shù)，如二氧化硅，藍(lán)寶石，CVD金剛石等，可用材料包括MoS2，MoSe2，WS...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥13520更新時(shí)間：2024/6/3 18:32:16 對(duì)比

100*100um
超高純 ZrS2粉末（1g）
超高純 ZrS2粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:28:18 對(duì)比

超高純 ZrS2粉末
高純 ZrSe2粉末（1g）
高純 ZrSe2粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/6/3 18:26:20 對(duì)比

高純 ZrSe2粉末
超高純 ZrSe2粉末（1g）
超高純 ZrSe2粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:24:16 對(duì)比

超高純 ZrSe2粉末
高純 ZrTe3粉末（1g）
高純 ZrTe3粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/6/3 18:21:53 對(duì)比

高純 ZrTe3粉末
超高純 ZrTe3粉末（1g）
超高純 ZrTe3粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:20:04 對(duì)比

超高純 ZrTe3粉末
高純BiTe粉末（1g）
高純BiTe粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料低維材料在線提供眾多超高純...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/6/3 18:18:04 對(duì)比

高純BiTe粉末
超高純BiTe粉末（1g）
超高純BiTe粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:15:36 對(duì)比

超高純BiTe粉末
高純Ta2NiSe5粉末（1g）
高純Ta2NiSe5粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/6/3 18:13:51 對(duì)比

高純Ta2NiSe5粉末
超高純Ta2NiSe5粉末（1g）
超高純Ta2NiSe5粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:11:53 對(duì)比

超高純Ta2NiSe5粉末
高純Sb2Te3粉末（1g）
高純Sb2Te3粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/6/3 18:10:17 對(duì)比

高純Sb2Te3粉末
超高純Sb2Te3 粉末（1g）
超高純Sb2Te3 粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:08:16 對(duì)比

超高純Sb2Te3 粉末超高純
白云母（1片裝）
白云母 MICA muscovite V1 (Muscovite, K2O-Al2O3-SiO2)晶體尺寸：~25mm電學(xué)性能：絕緣體晶體結(jié)構(gòu)：?jiǎn)涡本ЫY(jié)構(gòu)晶胞參...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥1608.2更新時(shí)間：2024/6/3 18:06:21 對(duì)比

白云母

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