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當前位置：泰州巨納新能源有限公司>>二維材料>>六方氮化硼晶體>> CVD銅基多層氮化硼薄膜
產(chǎn)品型號
品 牌2D Semiconductors
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地泰州市
更新時間：2024-06-03 16:46:08瀏覽次數(shù)：927次
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| 供貨周期 | 現(xiàn)貨 | 應用領域 | 環(huán)保,化工,能源,綜合 |
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Multilayer h-BN (Boron Nitride) film is grown onto 50 um thick copper foils. h-BN is an insulator with a direct band gap of 6 eV with strong ionic bonding between B-N atoms. Our h-BN CVD process has been adopted in order that defect density has been kept low (~1E10-1E11 cm-2) and single domain sizes have been increased to reduce 1D grain boudary defect concentrations. Multilayer h-BN sheets measure ~5cm x 5cm or ~2x2 inches in size.
Properties of h-BN
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