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  • 薄膜沉積CVD

    SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備,利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜。可在極低溫度下( 100ºC)沉積高質(zhì)量SiO2, S...

    型號: ICP-500D 所在地:北京市參考價: 面議更新時間:2024/10/12 15:04:52 對比
    SENPECVD沉積系統(tǒng)SI 500 PPD化學(xué)氣相沉積
  • 原子層沉積系統(tǒng)

    PICOSUN 原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200 Pro;PICOSUN R-200 Advanced ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),例如IC組件,MEMS...

    型號: PICOSUN A... 所在地:北京市參考價: 面議更新時間:2024/9/25 13:45:45 對比
    PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
  • PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)-高級版

    PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200高級版;系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),例如IC組件,MEMS器件,顯示器,LED,激光和3D對象,例如透鏡,光學(xué)器件...

    型號: ALD R-200... 所在地:北京市參考價: 面議更新時間:2024/9/25 13:43:50 對比
    PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
  • PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200基礎(chǔ)版

    PICOSUN®R-200標準ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),例如IC組件,MEMS器件,顯示器,LED,激光和3D對象,例如透鏡,光學(xué)器件,珠寶,...

    型號: ALD R-200 所在地:北京市參考價: 面議更新時間:2024/9/25 13:41:31 對比
    PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
  • 等離子 中束流離子注入機

    離子注入機由離子源、質(zhì)量分析器、加速器、四級透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成,可以根據(jù)實際需要省去次要部位。離子源是離子注入機的主要部位,作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子...

    型號: IMC210 所在地:北京市參考價: 面議更新時間:2024/9/25 12:51:44 對比
    IBS中束流離子注入高溫離子注入機中束離子
  • ICP等離子沉積系統(tǒng)-SI 500D

    SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備,利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜。可在極低溫度下( 100ºC)沉積高質(zhì)量SiO2, S...

    型號: ICP-500D 所在地:北京市參考價: 面議更新時間:2024/9/25 12:16:56 對比
    SENPECVD沉積系統(tǒng)SI 500 PPD化學(xué)氣相沉積

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