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目錄:北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司>>半導(dǎo)體材料測(cè)試儀>>晶圓均勻加熱裝置>> WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置

WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置
  • WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置
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參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 廠(chǎng)商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
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更新時(shí)間:2024-10-21 15:52:20瀏覽次數(shù):1171評(píng)價(jià)

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,其形狀為圓形;晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程,通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片,降低后續(xù)高昂的封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度,要求整個(gè)吸盤(pán)表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi),最大可以達(dá)到±0.03℃,是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。

WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置

關(guān)鍵詞:晶圓,均勻,6寸


晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,其形狀為圓形;晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程,通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片,降低后續(xù)高昂的封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度,要求整個(gè)吸盤(pán)表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi),最大可以達(dá)到±0.03℃,是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。

主要技術(shù)參數(shù);

1、溫度:室溫-200℃,650℃,1000℃,

2、加熱速率:40/min,

3、加熱臺(tái)尺寸:6寸,8寸,12寸等可以定制

4、控溫精度:±

5、加熱溫度均勻度允許誤差:±1 

6、加熱臺(tái)需可抗壓:100KN

7、可配合各種電學(xué)測(cè)試設(shè)備進(jìn)行電學(xué)數(shù)據(jù)功能采集

8、表面處理:鍍膜,鍍金或是黑礬石

9、熱臺(tái)材質(zhì):不銹鋼或銅

10、可以配合各種電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)及探針測(cè)試



               6寸晶圓在不同溫度下均勻性



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