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SCTS-2000系型雙電測(cè)式四探針測(cè)試儀

關(guān)鍵詞：雙電測(cè)，導(dǎo)電薄膜，導(dǎo)體

SCTS-2000系型雙電測(cè)式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)-改進(jìn)形范德堡測(cè)量方法測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高正確度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。

一、主要特點(diǎn)：

1、根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；

2、也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。

3、換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開(kāi)關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。

4、由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)以及PC軟件等部分組成。

二、基本技術(shù)參數(shù)

3.1  測(cè)量范圍

    電阻率：1×10^-4～2×10⁵ Ω-cm，分辨率：1×10^-5～1×10² Ω-cm

    方  阻：5×10^-4～2×10⁵ Ω/□，分辨率：5×10^-5～1×10² Ω/□

    電  阻：1×10^-5～2×10⁵ Ω   ，分辨率：1×10^-6～1×10² Ω

3.2  材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)決定和測(cè)試方式?jīng)Q定)

    直   徑：圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm，手持方式不限

    SZT-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，手持方式不限.

    長(zhǎng)(高)度：測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限.

    測(cè)量方位: 軸向、徑向均可

3.3.  4-1/2 位數(shù)字電壓表：

    (1)量程： 20.00mV～2000mV

    (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字

3.4  數(shù)控恒流源

   (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA，1A

   (2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字

3.5  四探針探頭（選配其一或加配全部）

   (1)碳化鎢探針：Φ0.5mm，直線探針間距1.0mm，探針壓力: 0～2kg 可調(diào)

   (2)薄膜方阻探針：Φ0.7mm，直線或方形探針間距2.0mm，探針壓力: 0～0.6kg 可調(diào)

3.6 電源

   輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗：<20W

3.7 外形尺寸：

   主機(jī)  220mm（長(zhǎng)）×245 mm（寬）×100mm（高）