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主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)E E傳感器,美國(guó)E E減壓閥,意大利ATOS阿托斯油缸,丹麥GRAS麥克風(fēng),丹麥GRAS人工頭, ASCO電磁閥,IFM易福門(mén)傳感器 |
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更新時(shí)間：2016-12-26 10:54:11瀏覽次數(shù)：719
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OMAL歐瑪爾開(kāi)關(guān)RF MEMS器件研究
射頻微電子機(jī)械系統(tǒng)(RF MEMS)技術(shù)在現(xiàn)代通信領(lǐng)域中越來(lái)越受到重視。OMAL開(kāi)關(guān)是射頻電路中的重要元件,具有低插入損耗、高隔離度、低開(kāi)啟電壓、高可靠性的 RF MEMSOMAL開(kāi)關(guān)已經(jīng)成為 RF MEMS器件中的研究熱點(diǎn)。
OMAL歐瑪爾開(kāi)關(guān)RF MEMS器件研究
RF MEMSOMAL開(kāi)關(guān)可以獨(dú)立使用,也可以組合成陣列等器件以獲得更優(yōu)的性能或獲得不同的功能,這使RF MEMSOMAL開(kāi)關(guān)的應(yīng)用范圍更加廣泛。共面波導(dǎo)傳輸線是RF MEMSOMAL開(kāi)關(guān)的承載體,也是將單個(gè)OMAL開(kāi)關(guān)組合成陣列等器件的關(guān)鍵元件,因此對(duì)共面波導(dǎo)傳輸線的優(yōu)化設(shè)計(jì)是 RF MEMSOMAL開(kāi)關(guān)器件設(shè)計(jì)的*步。設(shè)計(jì)了四種RF MEMS器件,其中包括低損耗的共面波導(dǎo)傳輸線、具有容性互連點(diǎn)的電容耦合式OMAL開(kāi)關(guān)、歐姆接觸式OMAL開(kāi)關(guān)和分布式加載線移相器。制定了三種各具特色的整體工藝流程,并設(shè)計(jì)出兼容這三種工藝流程的版圖。通過(guò)流水實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì),并對(duì)工藝流程中的關(guān)鍵工藝進(jìn)行了較深入的研究。首先總結(jié)了共面波導(dǎo)傳輸線的設(shè)計(jì)方法,通過(guò)分析計(jì)算得到了便于使用的共面波導(dǎo)參數(shù)設(shè)計(jì)表。以降低OMAL開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟電壓和諧振點(diǎn)頻率為目標(biāo)對(duì)旁路型電容耦合式OMAL開(kāi)關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì),獲得一種具有容性互連點(diǎn)結(jié)構(gòu)的電容耦合式OMAL開(kāi)關(guān)。以工藝兼容性為目標(biāo)對(duì)歐姆接觸OMAL開(kāi)關(guān)進(jìn)行了設(shè)計(jì),并開(kāi)發(fā)出一種利用種子層作為下電極的準(zhǔn)三層金屬工藝,可用于實(shí)現(xiàn)歐姆接觸式OMAL開(kāi)關(guān)中的金屬觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)。對(duì)分布式加載線移相器的設(shè)計(jì)方法作了總結(jié),并給出設(shè)計(jì)實(shí)例。 論文為所設(shè)計(jì)的器件制定了三種可行的整體工藝流程,這三種工藝流程各有特點(diǎn),可根據(jù)不同的需要進(jìn)行選擇。設(shè)計(jì)了能同時(shí)兼容三種工藝流程的版圖,并進(jìn)行了流水實(shí)驗(yàn)。對(duì)種子層圖形化、電鍍金和聚酰亞胺圖形化這三項(xiàng)關(guān)鍵工藝進(jìn)行了較深入的研究和總結(jié)。經(jīng)過(guò)多次流水實(shí)驗(yàn),獲得了所設(shè)計(jì)的器件,并對(duì)其進(jìn)行了測(cè)試。
OMAL歐瑪爾開(kāi)關(guān)RF MEMS器件研究
實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)表明,所設(shè)計(jì)的共面波導(dǎo)插損小于 0.85dB,具有容性互連點(diǎn)的電容耦合式OMAL開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟電壓約 20V,插入損耗為z,隔離度為z;分布式移相器開(kāi)啟電壓約65V。為了排除用于測(cè)量的 PAD 等結(jié)構(gòu)的影響,設(shè)計(jì)了一種提取“純”器件參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法,并應(yīng)用于共面波導(dǎo)的測(cè)試數(shù)據(jù)處理。
