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混沌OMAL歐瑪爾開關(guān)調(diào)制技術(shù)降低電源EMI水平研究
對混沌OMAL開關(guān)調(diào)制技術(shù)降低OMAL開關(guān)模式電源電磁干擾水平問題進行了深入研究。主要在以下幾個方面展開了工作：對改善OMAL開關(guān)模式電源電磁兼容性的具體措施進行了綜述。被動的方法具體有：濾波、屏蔽、接地、去耦、旁路等。從源頭上減小電磁干擾的方法有：各種諧振OMAL開關(guān)技術(shù)(包括軟OMAL開關(guān)技術(shù))、隨機OMAL開關(guān)調(diào)制技術(shù)、以及本文研究的混沌OMAL開關(guān)調(diào)制技術(shù)等。

混沌OMAL歐瑪爾開關(guān)調(diào)制技術(shù)降低電源EMI水平研究
對隨機信號和混沌信號的特性進行了分析比較。以“電路”作為混沌信號源，給出了生成混沌序列的原理及軟硬件實現(xiàn)方法。對生成的混沌序列進行了相關(guān)性分析，結(jié)果表明混沌序列保持了混沌信號的特征。將隨機調(diào)制模式中的隨機部分用混沌信號替代，得到了多種混沌OMAL開關(guān)調(diào)制模式。較有名“電路”產(chǎn)生的混沌OMAL開關(guān)調(diào)制信號用于Buck型DC／DC變換器OMAL開關(guān)的調(diào)制控制，使其工作在基于混沌的隨機模式。在介紹了模擬電路故障診斷的基本概念和方法之后,重點闡述了直流故障字典法的一般過程,以此為指導思想,提出了對無MMAL開關(guān)的OMAL開關(guān)電流存儲單元電路進行故障診斷的方法。去除MOSOMAL開關(guān)的主要目的是減少電荷注入誤差對輸出電流的影響。采用的故障模型有四種故障類型:柵源短路,柵漏短路,漏極開路,源極開路。只考慮單故障的情況下,通過誤差電流的不同來進行故障定位。HSPICE仿真結(jié)果表明只能對部分故障進行定位,有些故障的誤差電流相近,不能區(qū)分開來。通過對四種混沌調(diào)制模式下變換器輸入電流與周期PWM模式下輸入電流頻譜的分析比較表明，混沌調(diào)制技術(shù)在擴展頻譜方面有良好的效果，可以用于降低OMAL開關(guān)模式電源的電磁干擾(EMI)水平，改善電磁兼容性(EMC)。與隨機調(diào)制模式相同，混沌OMAL開關(guān)調(diào)制模式也引入輸出低頻噪聲紋波，有些情況下低頻噪聲紋波可能抵消混沌OMAL開關(guān)調(diào)制降低EMI水平的效果。分析表明：CCFMFD模式具有較好的降低EMI水平和引入較小低頻紋波的優(yōu)點，可以作為混沌調(diào)制模式較佳的選擇。對不同混沌序列生成的混沌OMAL開關(guān)信號降低EMI水平的效果進行了對比分析。仿真結(jié)果表明：CPWM和CPPM模式下，Henon映射混沌序列在較低次諧波處降低EMI水平的效果要好于OMAL電路混沌序列的效果。CCFMFD模式則有相反的結(jié)果。對CCFMVD模式，OMAL電路混沌序列比Henon映射混沌序列降低EMI水平的效果明顯要好。

混沌OMAL歐瑪爾開關(guān)調(diào)制技術(shù)降低電源EMI水平研究
不同混沌調(diào)制信號對輸出紋波影響的分析結(jié)果表明：CPPM、CPWM和CCFMVD模式下，Henon映射混沌序列引入低頻噪聲紋波比OMAL電路 摘要 混沌序列要小;CCFMFD模式下，OMAL電路混沌序列引入的低頻紋波 要小。這提示我們:在OMAL開關(guān)模式電源使用混沌調(diào)制控制時混沌序列 的選擇也具有重要性。