硅酸鉍(Bi)12SiO20，bso)晶體是一種高效率的光導材料，暗導率低，允許大量的光誘導空間電荷的積累。巨大的光電導性和電光特性提高了BSO晶體的應(yīng)用范圍：空間光調(diào)制器、光開關(guān)、相位共軛混合器。Optogama用改進的Czochralski法生長了BSO晶體，其孔徑可達3英寸。

鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(Fe：LiNbO)的LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數(shù)和衍射效率、化學力學性能，是一種很有吸引力的光折變材料。Fe：LiNbO3晶體采用Czochralsky法生長，尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調(diào)整特定應(yīng)用的材料性能。更重要的是，F(xiàn)e：Linbo3晶體操作方便，成本低，適合批量生產(chǎn)。

SBN晶體具有優(yōu)良的光學和光折變性能。它們表面上是純的，被Ce，Cr，Co或Fe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體，采用改進的Stepanov法生長，線性尺寸可達40 mm。

鍺酸鉍（Bi12GeO20，BGO）晶體是具有低暗電導率的高效光電導體，可以積累大量光致空間電荷。

硅酸鉍晶體主要特點：

-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據(jù)要求定制

BSO晶體主要應(yīng)用：

       -空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-相位共軛混合器。

鈮酸鋰晶體主要特點：

-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據(jù)要求定制

LiNbO3晶體的主要應(yīng)用：

-空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-全息記錄

-光波導

SBN晶體的主要特點：

-Ce，Cr，Co，F(xiàn)e純摻雜

-有效相位共軛

-定制尺寸，摻雜水平，無極化，減反射涂層和沒有電極晶體可根據(jù)要求

SBN晶體的主要應(yīng)用：

-光學信息記錄

-熱釋電探測器

-自泵浦自共軛鏡

-光學相關(guān)器

BGO晶體的主要特點：

-高電光系數(shù)(r41=3，5 pm/v)

-低暗電導

-大尺寸元件或晶片最多可達3“

-可根據(jù)要求定制

BGO晶體的主要應(yīng)用：

-空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-光學相關(guān)器