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當前位置：上海富瞻環(huán)保科技有限公司>>分析儀器>>X射線儀器>> MDpicts 微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌Freiberg Instruments
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地上海市
更新時間：2024-10-28 11:53:10瀏覽次數(shù)：161次
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微波探測的光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征。
產(chǎn)品介紹：
微波探測的光感應(yīng)電流瞬態(tài)圖譜檢測，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征。MDpicts將在半導體材料的基礎(chǔ)研究與開發(fā)領(lǐng)域取得普遍的應(yīng)用。
設(shè)備特點：
靈敏度：對半導體材料電學缺陷有很高的靈敏度
溫度范圍：液氮（77k）至500k?？蛇x：液氦（4k）或更高溫度
衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
沾污檢測：電學陷阱基本性能確定：激發(fā)性能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等
重復性：> 99.5%，測量時間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
靈活性：從365 nm 到1480nm，根據(jù)不同材料選擇不同波長激發(fā)光源
可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠程操作和技術(shù)支持
圖1.與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)
圖2.不同缺陷的評價
從Arrhenius斜率（圖3）可以確定活化能
圖3.阿倫尼烏斯曲線圖
利用這種新型MDPpicts設(shè)備，可在20~500k范圍內(nèi)測量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導。
Si， GaAs， InP， SiC和其他很多半導體材料已成功采用了這種方法進行研究。
圖4.不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜
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