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MDPspot少子壽命測試儀

產(chǎn)品特點(diǎn)

低成本桌面單點(diǎn)測量硅片或晶磚，用于在不同制備階段表征各種不同的硅樣品，無需內(nèi)置自動(dòng)化?？蛇x手動(dòng)操作的z軸厚度高達(dá)156毫米的硅磚樣品，高達(dá)156毫米硅磚，結(jié)果可視化的標(biāo)準(zhǔn)軟件。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹：

MDPspot W

包括一個(gè)額外的電阻率測量選項(xiàng)。測量硅電阻率，可用于沒有高度調(diào)節(jié)可能性的晶圓，或晶磚。必須預(yù)先定義這兩個(gè)選項(xiàng)中一個(gè)。

特點(diǎn)：

◇ 無接觸無破壞的電學(xué)半導(dǎo)體特性

◇ 包括μ-PCD測量選項(xiàng)

◇ 對迄今為止看不見的缺陷的可視化和外延層的研究具有優(yōu)良的靈敏度

◇ 集成多達(dá)四個(gè)激光器，用于寬的注入水平范圍

◇ 獲取單次瞬變的原始數(shù)據(jù)以及用于特殊評估目的的地圖

技術(shù)規(guī)格:

單晶或多晶片、晶磚、電池、硅片、鈍化或擴(kuò)散等不同生產(chǎn)步驟后的晶片
樣品尺寸	50 x 50 mm2 以上到 12“ 或 210 x 210 mm2
電阻率	0.2 - 103Ω·cm
材料	晶片、晶磚、部分或加工的硅片、化合物半導(dǎo)體等
測量參數(shù)	載流子壽命
尺寸	360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg
電力	110/220 V, 50/60 Hz, 3 A

MDPspot 應(yīng)用：

鐵濃度測定

鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因?yàn)殍F是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的

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摻雜樣品的光電導(dǎo)率測量

B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用，但到目前為止，沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……

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陷阱濃度測定

陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對太陽能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。

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注入相關(guān)測量

少數(shù)載流子壽命強(qiáng)烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心和俘獲中心的信息。

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優(yōu)點(diǎn)：

◇ 臺式裝置，用于載流子壽命的單點(diǎn)測量，多晶硅或單晶硅在不同的制備階段，從原生材料到器件。

◇ 體積小，成本低，使用方便。附帶一個(gè)基本的軟件，用于在小型PC或筆記本上進(jìn)行結(jié)果可視化。

◇ 適用于硅片到磚，操作高度調(diào)節(jié)方便。

細(xì)節(jié)：

◇ 允許單晶圓片調(diào)查

◇ 不同的晶圓級有不同的配方

◇ 監(jiān)控物料、工藝質(zhì)量和穩(wěn)定性

附加選項(xiàng)：

◇ 光斑大小變化

◇ 電阻率測量(晶片)

◇ 背景/偏置光

◇ 反射測量(MDP)

◇ 軟件擴(kuò)展

◇ 額外的激光器選配

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