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光彈調(diào)制器
  • 光彈調(diào)制器
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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產(chǎn)地類別:進(jìn)口

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更新時(shí)間:2021-06-02 09:46:18瀏覽次數(shù):3125評(píng)價(jià)

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產(chǎn)地類別 進(jìn)口
Hinds Instruments, Inc公司是世界有名的(同時(shí)也是世界*的一家)(photoelastic modulators)生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM光彈調(diào)制器可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變,調(diào)制速率為20~100kHz。

光彈調(diào)制器

美國(guó)Hinds Instruments, Inc公司是世界有名的(同時(shí)也是世界*的一家)光彈調(diào)制器(photoelastic modulators)生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變,調(diào)制速率為20~100kHz。(PEM)的作用就像一個(gè)“動(dòng)態(tài)的波片”,可以使快軸和慢軸之間產(chǎn)生一個(gè)周期變化的折射率差,從而控制透過(guò)光束的偏振進(jìn)行周期性的變化。具體而言即,(photoelastic modulators)通過(guò)對(duì)線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線偏振等狀態(tài)之間井進(jìn)行變化,同時(shí)(PEM)還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進(jìn)行切換。

對(duì)比聲光調(diào)制器、電光調(diào)制器、液晶調(diào)制器的*之處包括:

 

?    非常大通光孔徑(15到30mm,標(biāo)準(zhǔn)),同時(shí)保持很高的調(diào)制器頻率

?    超大接受角度(市場(chǎng)角)范圍(+/- 20°)

?    波長(zhǎng)覆蓋范圍大(170nm~10um,F(xiàn)IR~THZ)

?    高損傷閾值

?    可精確控制相位延遲

 

美國(guó)Hinds Instruments, Inc公司PEM電學(xué)和光學(xué)頭封裝在不同的部件中。這樣能夠zui小化光學(xué)系統(tǒng)單元的尺寸,同樣也使得光學(xué)頭與磁場(chǎng)或真空兼容(當(dāng)這些有需要的時(shí)候)。

 

需要進(jìn)一步了解關(guān)于原理,請(qǐng)點(diǎn)擊這里

 

應(yīng)用舉例:

在偏振方向調(diào)制中的應(yīng)用介紹.pdf

 

Hinds Instruments主要分為兩個(gè)系列:

 

Series I 系列使用矩形光學(xué)原件,波長(zhǎng)覆蓋紫外、可見(jiàn)光和紅外至1或者2um。

Series II系列使用對(duì)稱或者八角形的光學(xué)原件,波長(zhǎng)覆蓋可見(jiàn)和紅外(到中紅外)頻譜區(qū)域。特殊的型號(hào)可用于紫外。

 

Hinds Instruments公司的光學(xué)頭使用不同的光學(xué)材料,材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。

 

 

TABLE 1

 

 

SPECTRAL REGION

SERIES

MATERIAL

Vacuum UV, UV

I

Lithium Fluoride

Vacuum UV to mid-IR

I,II

Calcium Fluoride

Vacuum UV to near-IR

I,II

Fused Silica

Mid-visible to mid-IR

II

Zinc Selenide

Near- to mid-IR

II

Silicon

 

 

相對(duì)于Series II八角形光學(xué)元件,Series I矩形的光學(xué)元件在相同厚度的情況下,相位延遲量更少。在紅外波段,這是一個(gè)缺點(diǎn),但是在紫外波段,尤其是真空紫外,這則變成為了一個(gè)很大優(yōu)點(diǎn)。

 

八角形(Series II)光學(xué)元件在給定的厚度下更加的有效率,因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢(shì)。使用Series II操作低延遲量(例如:深紫外)或許會(huì)造成一些問(wèn)題。

 

 

可選選項(xiàng)(規(guī)格和價(jià)格會(huì)因?yàn)榭蛻粜枰淖儯斍樵儐?wèn)昊量光電的工程師)

 

  • ?    增透膜,Model ARC。防反射膜可用于任何光學(xué)調(diào)制器上,窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得。
  • ?    請(qǐng)昊量光電關(guān)于頻譜范圍和透射率要求
  • ?    無(wú)干涉選項(xiàng),Model NIO。這一項(xiàng)用于偏轉(zhuǎn)光束路徑,因此消除了調(diào)制器干涉
  • ?    特殊頻率,Model SFO。標(biāo)準(zhǔn)的調(diào)制頭配以特殊頻率
  • ?    特殊光學(xué)頭/電學(xué)頭電纜,Model SLHH
  • ?    特殊調(diào)制頭附件,Model SHE。光學(xué)頭可以根據(jù)客戶需要提供特殊形狀
  • ?    真空操作。PEM可用于真空環(huán)境,詳情請(qǐng)?jiān)儐?wèn)Hinds
  •            磁場(chǎng)兼容選項(xiàng),Model MFC。光學(xué)頭不含任何磁鐵材料,用于強(qiáng)磁場(chǎng)中

    基本指標(biāo)

 

Model

Optical Material

Nominal

Frequency

Retardation Range

Useful

Aperture1

Quarter Wave

Half Wave

I/FS50

Fused Silica

50 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

16mm

I/FS20

Fused Silica

20 KHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

22mm

I/CF50

Calcium Fluoride

50 kHz

130nm - 2μm

130nm - 1μm

16mm

II/FS20A

Fused Silica

20 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

56mm

II/FS20B

Fused Silica

20 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

56mm

II/FS42A

Fused Silica

42 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

27mm

II/FS42B

Fused Silica

42 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

27mm

II/FS47A

Fused Silica

47 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

24mm

 

II/FS47B

Fused Silica

47 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

24mm

II/FS84

Fused Silica

84 kHz

800nm - 2.5μm

400nm - 2.5μm

13mm

II/IS42B

Fused Silica

42 kHz

1.6μm - 3.5μm

800nm - 2.5μm

27mm

II/IS84

Fused Silica

84 kHz

800nm - 3.5μm

400nm - 1.8μm

27mm

II/CF57

Calcium Fluoride

57 kHz

2μm - 8.5μm

1μm - 5.5μm

23mm

II/ZS37

Zinc Selenide

37 kHz

2μm - 18μm

1μm - 9μm

19mm

II/ZS50

Zinc Selenide

50 kHz

2μm - 18μm

1μm - 10μm

14mm

II/SI40

Silicon

40 kHz

FIR - THz

FIR - THz

36mm

II/SI50

Silicon

50 KHz

FIR - THz

FIR - THz

29mm

 

美國(guó)Hinds Instruments, Inc公司相關(guān)文獻(xiàn)請(qǐng)參考:http://www.auniontech。。com/n/document/v_Paper_of_Hinds.html

 

光彈調(diào)制式反射差分光譜儀的理論分析.pdf

在偏振方向調(diào)制中的應(yīng)用.pdf

應(yīng)用的Mueller矩陣分析.pdf

式多通道反射差分光譜技術(shù).pdf

定標(biāo)新方法.pdf

光彈調(diào)制差分反射分析系統(tǒng)的建立與應(yīng)用.pdf

使用測(cè)量D-丙氨酸單晶低溫變溫光學(xué)性質(zhì)的研究.pdf

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