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| 應用領域 | 綜合 |
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光纖電光太赫茲傳感器
昊量光電新推出太赫茲電磁場傳感器使用由鈮酸鋰薄膜制成的馬赫-曾德爾調(diào)制器來探測太赫茲波。在時域太赫茲光譜學應用中，該電光太赫茲傳感器可以代替笨重的基于偏振調(diào)制的光學元件。光纖電光太赫茲 傳感器可以實現(xiàn)高空間分辨率，并且可以在直流頻率附近工作，蕞高可達幾個太赫茲。傳感器可以采用全介質(zhì)材料，也可以采用太赫茲天線。對于低太赫茲場值，天線可以將靈敏度提高10倍。介電型傳感器不干擾被測電場，可用于高太赫茲場的應用。由于使用了光纖電纜，因此不需要校準，并且傳感器可以很容易地放置在太赫茲波束路徑中進行太赫茲信號的采樣。電光太赫茲傳感器工作在1550nm的眼睛安全波長。該器件可用于取代太赫茲時域光譜應用中笨重的電光采樣晶體。
太赫茲電場傳感器由一個光纖耦合馬赫-曾德爾調(diào)制器組成，該調(diào)制器具有一根輸入光纖和兩根用于平衡檢測的輸出光纖。光纖電光太赫茲 傳感器的光學電路示意圖如下所示。該傳感器由一個輸入光柵耦合器和兩個輸出光柵耦合器組成。在輸入和輸出耦合器之間，有一個馬赫-曾德爾調(diào)制器部分。馬赫-曾德爾調(diào)制器的兩臂方向相反。當電場作用在器件上時，由于調(diào)制器的極化作用，器件一側(cè)臂的折射率增加，另一側(cè)臂的折射率降低。因此電場對光信號進行調(diào)制。由于采用了鈮酸鋰薄膜，射頻信號和光信號的相位匹配良好。因此，高帶寬可達幾個太赫茲。
光纖電光太赫茲傳感器產(chǎn)品特性：
基于鈮酸鋰薄膜的研究
電光馬赫-曾德爾調(diào)制器
直流頻率到太赫茲頻率
所有介電材料
不受電磁干擾
高空間分辨率
光纖電光太赫茲 傳感器Mach-Zehnder THz sensor, P/N MZ-XX-Q-B-YY
| 參數(shù) | 高帶寬 | 高靈敏度 |
| 動態(tài)范圍 | 10 V/m – 2MV/m | 1 V/m – 200kV/m |
| 靈敏度 | 10 V/(m. Hz 0.5) | 1 V/(m. Hz 0.5) |
| 選擇性（正交成分抑制） | >30 (dB) | >30 (dB) |
| 光學插入損耗 | -12 (dB) | -12 (dB) |
| 工作波長 | 1550 (nm) | 1550 (nm) |
| 測量方向 | PL: Parallel | PL: Parallel |
| -3dB帶寬（光耦合器） | 50(nm) | 50(nm) |
| -3dB 調(diào)制器帶寬* | 600 GHz | 60 GHz |
| 有效相互作用長度 XX | 600 microns | 6000 microns |
| Ep | 23 MV/m | 2.3 MV/m |
| 傳感器尺寸 | 3(mm) x 25(mm) | 3(mm) x 25(mm) |
| 光纖長度 | 1(m) | 1(m) |
| 光纖及接口 | 3 PM, FC/APC | 3 PM, FC/APC |
光纖電光太赫茲 傳感器電場THz 傳感器控制器, P/N: L-1550-THz-D-400-B
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| 激光功率 | 10 (mW) | |
| 工作波長 | 1550 (nm) | |
| 測量范圍 | 1 GHz – 1 THz | 取決于傳感器 |
| 典型響應增益 | 0.4 (μV/(V/m)) | 0.04(μV/(V/m)) for 600micron devices |
| 蕞大輸出頻率 | 100 MHz | |
| 尺寸 | 300x264x134(mm) | 可低至6ps |
| 重量 | 1 (kg) | |
| 輸出 | SMA-50 ohm | |
| 供電 | 110-220 volt, 50-60Hz |
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