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主營產(chǎn)品: FILA,DEBOLD,ESTA,baumer,bernstein,bucher,PILZ,camozzi,schmalz |
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 生物產(chǎn)業(yè),地礦 |
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SELECTRON SYMPHONY CAP1131 軟件
SELECTRON SYMPHONY CAP1131 軟件
振蕩頻率f 與RC有以下近似關(guān)系f=1/2.2Rt?Cr(Vdd=10V)。如考慮振蕩器的穩(wěn)定性,減少由于器件參數(shù)的差異而引起的振蕩周期的變化Rs>Rt(Rs=10Rt時(shí),振蕩周期基本上不隨Vdd的變化而變化)為保證振蕩能可靠起振。在選擇Rt與Ct時(shí)應(yīng)注意其條件,Rt>1KΩ?Cr>1000Pf,否則很難保證振蕩電路可靠起振。
在實(shí)際使用的時(shí)間繼電器,往往需要控制時(shí)間連續(xù)可調(diào),為保證時(shí)間可調(diào),則振蕩回路Rt可選擇線性較好X型可調(diào)電位器。延時(shí)電容可選擇穩(wěn)定性好的CBB聚丙烯電容,時(shí)間繼電器標(biāo)牌延時(shí)刻度可根據(jù)所選擇的可調(diào)電位器機(jī)械行程的偏轉(zhuǎn)角度來定,從而使設(shè)定時(shí)間值(標(biāo)牌刻度示值)與實(shí)際延時(shí)值相吻合,以減少整定誤差。
譬如要設(shè)置10s,可將Rt選擇,1MΩ可調(diào)電位器,Ct可選擇104 pF,輸出分頻端從15腳Q10引出,則大
延時(shí)值為11S,因集成是在時(shí)鐘脈沖下降沿的作用下作增量計(jì)數(shù),則大延時(shí)時(shí)間Tmax=2 n-1 ? t= 2 10-1 ?2?2? RtCt= 2 9 ?2?2? 106×104×10-12 =11s。
當(dāng)4060集成振蕩器部分也可配晶振,使之構(gòu)成典型的晶體振蕩器,在此就不多加贅述。
該芯片采用CMOS工藝,具有微功耗,抗干擾能力強(qiáng)(內(nèi)部采用硬件編程),外配石英振蕩器,多種時(shí)基選擇,具有通電延時(shí)和間隔定時(shí)兩種工作模式。四位延時(shí)整定,具有BCD碼輸出,可配譯碼器LED數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)顯示延時(shí)時(shí)間。具有延時(shí)精度高、顯示直觀、延時(shí)整定方便等優(yōu)點(diǎn)。現(xiàn)有逐步替代常規(guī)的CMOS計(jì)時(shí)分頻集成電路的趨勢。
在芯片OSC1、OSC2、OSC3外接晶振以及電阻構(gòu)成并聯(lián)晶體振蕩器產(chǎn)生32768Hz主脈沖,主脈沖分別進(jìn)入芯片內(nèi)置的時(shí)序電路和分頻器時(shí)基選擇電路,使之產(chǎn)生時(shí)序脈沖,并在P1、P2、P3、P4輸出BCD碼,P5產(chǎn)生相應(yīng)的秒脈沖。P5產(chǎn)生的秒脈沖在配相應(yīng)的元器件后可反映時(shí)間繼電器的工作狀態(tài),當(dāng)延時(shí)來到時(shí),秒脈沖可使線路的LED發(fā)光管處于閃爍狀態(tài),待延時(shí)到達(dá)后,LED為常亮狀態(tài),而在此時(shí),D1、D2、D3、D4產(chǎn)生位置顯示掃描脈沖以及時(shí)基脈沖。
時(shí)間設(shè)置可通過SA1、SA2、SA3、SA4撥碼開關(guān)進(jìn)行個(gè)、十、百、千的“8、4、2、1”設(shè)定至芯片寄存器中,以備在芯片內(nèi)部比較電路中進(jìn)行比較。K3與K4分別可設(shè)定工作模式和時(shí)基選擇,并將設(shè)定輸入到芯片內(nèi)部工作模式寄存器和時(shí)基寄存器中,在芯片外部配相應(yīng)的電源和7段鎖存譯碼驅(qū)動(dòng)器,則可顯示延時(shí)值。當(dāng)延時(shí)顯示值與撥碼設(shè)定值相吻合后,芯片內(nèi)部所設(shè)定的比較電路工作使芯片12端OUT輸出高電平來驅(qū)動(dòng)三極管V1導(dǎo)通,從而使執(zhí)行繼電器吸合工作,延時(shí)觸頭對外圍線路進(jìn)行控制。
另外,該芯片有7種時(shí)基供選擇,分別由D1、D2、D3與P5構(gòu)成相應(yīng)的二進(jìn)制碼來進(jìn)行設(shè)定。設(shè)定選擇時(shí)基可用符合下述二進(jìn)制碼的特制撥碼開關(guān)完成,以方便用戶的時(shí)基選擇。如用戶有特殊需求,片1腳GATE還具有累加計(jì)時(shí)功能,1腳在低電平時(shí)分頻器連續(xù)工作,當(dāng)接入高電平時(shí)計(jì)數(shù)器分頻器暫停工作。當(dāng)外接2變成低電平后,計(jì)時(shí)顯示又可在原計(jì)時(shí)顯示基礎(chǔ)上累加計(jì)時(shí),從而可實(shí)現(xiàn)累加計(jì)時(shí)功能。在工作原理圖中開關(guān)K2可實(shí)現(xiàn)此功能。
K3為工作模式選擇,當(dāng)K3接通時(shí),時(shí)間繼電器的工作模式為間隔定時(shí),也就是當(dāng)時(shí)間繼電器接通工作電源后,芯片OUT輸出端先輸出高電平,致使內(nèi)部執(zhí)行繼電器工作,待所設(shè)定的延時(shí)到達(dá)后OUT無高電平輸出,執(zhí)行繼電器釋放;如K3不接通,時(shí)間繼電器為常規(guī)的通電延時(shí)型,
工作狀態(tài)與間隔定時(shí)相反。
總之,針對時(shí)間繼電器的工作特點(diǎn)而研制的時(shí)間芯片有其多時(shí)基選擇、時(shí)間預(yù)置方便、顯示直觀、時(shí)間整定誤差小等優(yōu)點(diǎn),是常規(guī)的CMOS計(jì)數(shù)分頻集成電路無法來實(shí)現(xiàn)的。
典型應(yīng)用控制線路分析
在常規(guī)Y-△的電動(dòng)機(jī)控制線路中,時(shí)間繼電器的延時(shí)控制使電機(jī)在Y形啟動(dòng)切換至△形運(yùn)行起到有效的控制。
按下Y-△控制回路啟動(dòng)按鈕SB2,時(shí)間繼電器KT得電,在得電的同時(shí)KT的瞬動(dòng)觸點(diǎn)對SB2形成自鎖,KM3接觸器線圈得電,KM3主觸頭閉合,其常開輔助觸頭閉合,主回路KM1接觸器得電,主回路接通;KM3常閉輔助觸頭斷開,確保接觸器KM3工作時(shí),KM2不能投入工作,此時(shí)電動(dòng)機(jī)處于Y形啟動(dòng)狀態(tài)。
當(dāng)時(shí)間繼電器KT延時(shí)到達(dá)后(KT的時(shí)間設(shè)置可根據(jù)所控制Y-△啟動(dòng)電動(dòng)機(jī)的功率來設(shè)定)。時(shí)間繼電器的延時(shí)常開和延時(shí)常閉觸頭轉(zhuǎn)換,致使交流接觸器KM3線圈失電,主觸頭斷開,交流接觸器KM2得電,其輔助觸頭對KM1、KT觸點(diǎn)進(jìn)行自鎖,保證交流接觸器KM2吸合工作,使電機(jī)在△形運(yùn)行。
時(shí)間繼電器的使用環(huán)境
時(shí)間繼電器作為自動(dòng)控制器件應(yīng)用較廣泛,尤其是在涉及低壓電器控制網(wǎng)絡(luò)中有較多電器設(shè)備環(huán)境中使用時(shí)電磁干擾問題更趨于嚴(yán)重。組成時(shí)間繼電器的內(nèi)部元器件的損壞這時(shí)已不是引起時(shí)間繼電器故障(失效)的主要原因,而在于應(yīng)用場合中的各種干擾通過電磁耦合、電容耦合直接進(jìn)入時(shí)間繼電器,干擾其正常的延時(shí)控制。時(shí)間繼電器在此干擾環(huán)境下能否正常工作往往會(huì)影響到整個(gè)自動(dòng)控制系統(tǒng)的正常邏輯功能,甚至還可能造成大的質(zhì)量事故和經(jīng)濟(jì)損失。所以時(shí)間繼電器在各種惡劣環(huán)境都應(yīng)有較高的可靠性和抗干擾能力,也就是說時(shí)間繼電器必須有良好的電磁兼容性能,只有這樣才能完善其產(chǎn)品質(zhì)量,提高自身的市場競爭能力。
工作電源部分的抑制措施
在實(shí)際工作使用中,一般采用下述方法來進(jìn)行抑制,提高其產(chǎn)品的抗干擾能力。
采用隔離變壓器;選擇合適的壓敏電阻;在供電輸出口加高頻旁路電容等方法提高產(chǎn)品的抗干擾能力。
振蕩頻率f 與RC有以下近似關(guān)系f=1/2.2Rt?Cr(Vdd=10V)。如考慮振蕩器的穩(wěn)定性,減少由于器件參數(shù)的差異而引起的振蕩周期的變化Rs>Rt(Rs=10Rt時(shí),振蕩周期基本上不隨Vdd的變化而變化)為保證振蕩能可靠起振。在選擇Rt與Ct時(shí)應(yīng)注意其條件,Rt>1KΩ?Cr>1000Pf,否則很難保證振蕩電路可靠起振。
在實(shí)際使用的時(shí)間繼電器,往往需要控制時(shí)間連續(xù)可調(diào),為保證時(shí)間可調(diào),則振蕩回路Rt可選擇線性較好X型可調(diào)電位器。延時(shí)電容可選擇穩(wěn)定性好的CBB聚丙烯電容,時(shí)間繼電器標(biāo)牌延時(shí)刻度可根據(jù)所選擇的可調(diào)電位器機(jī)械行程的偏轉(zhuǎn)角度來定,從而使設(shè)定時(shí)間值(標(biāo)牌刻度示值)與實(shí)際延時(shí)值相吻合,以減少整定誤差。
譬如要設(shè)置10s,可將Rt選擇,1MΩ可調(diào)電位器,Ct可選擇104 pF,輸出分頻端從15腳Q10引出,則大
延時(shí)值為11S,因集成是在時(shí)鐘脈沖下降沿的作用下作增量計(jì)數(shù),則大延時(shí)時(shí)間Tmax=2 n-1 ? t= 2 10-1 ?2?2? RtCt= 2 9 ?2?2? 106×104×10-12 =11s。
當(dāng)4060集成振蕩器部分也可配晶振,使之構(gòu)成典型的晶體振蕩器,在此就不多加贅述。
該芯片采用CMOS工藝,具有微功耗,抗干擾能力強(qiáng)(內(nèi)部采用硬件編程),外配石英振蕩器,多種時(shí)基選擇,具有通電延時(shí)和間隔定時(shí)兩種工作模式。四位延時(shí)整定,具有BCD碼輸出,可配譯碼器LED數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)顯示延時(shí)時(shí)間。具有延時(shí)精度高、顯示直觀、延時(shí)整定方便等優(yōu)點(diǎn)?,F(xiàn)有逐步替代常規(guī)的CMOS計(jì)時(shí)分頻集成電路的趨勢。
在芯片OSC1、OSC2、OSC3外接晶振以及電阻構(gòu)成并聯(lián)晶體振蕩器產(chǎn)生32768Hz主脈沖,主脈沖分別進(jìn)入芯片內(nèi)置的時(shí)序電路和分頻器時(shí)基選擇電路,使之產(chǎn)生時(shí)序脈沖,并在P1、P2、P3、P4輸出BCD碼,P5產(chǎn)生相應(yīng)的秒脈沖。P5產(chǎn)生的秒脈沖在配相應(yīng)的元器件后可反映時(shí)間繼電器的工作狀態(tài),當(dāng)延時(shí)來到時(shí),秒脈沖可使線路的LED發(fā)光管處于閃爍狀態(tài),待延時(shí)到達(dá)后,LED為常亮狀態(tài),而在此時(shí),D1、D2、D3、D4產(chǎn)生位置顯示掃描脈沖以及時(shí)基脈沖。
時(shí)間設(shè)置可通過SA1、SA2、SA3、SA4撥碼開關(guān)進(jìn)行個(gè)、十、百、千的“8、4、2、1”設(shè)定至芯片寄存器中,以備在芯片內(nèi)部比較電路中進(jìn)行比較。K3與K4分別可設(shè)定工作模式和時(shí)基選擇,并將設(shè)定輸入到芯片內(nèi)部工作模式寄存器和時(shí)基寄存器中,在芯片外部配相應(yīng)的電源和7段鎖存譯碼驅(qū)動(dòng)器,則可顯示延時(shí)值。當(dāng)延時(shí)顯示值與撥碼設(shè)定值相吻合后,芯片內(nèi)部所設(shè)定的比較電路工作使芯片12端OUT輸出高電平來驅(qū)動(dòng)三極管V1導(dǎo)通,從而使執(zhí)行繼電器吸合工作,延時(shí)觸頭對外圍線路進(jìn)行控制。
另外,該芯片有7種時(shí)基供選擇,分別由D1、D2、D3與P5構(gòu)成相應(yīng)的二進(jìn)制碼來進(jìn)行設(shè)定。設(shè)定選擇時(shí)基可用符合下述二進(jìn)制碼的特制撥碼開關(guān)完成,以方便用戶的時(shí)基選擇。如用戶有特殊需求,片1腳GATE還具有累加計(jì)時(shí)功能,1腳在低電平時(shí)分頻器連續(xù)工作,當(dāng)接入高電平時(shí)計(jì)數(shù)器分頻器暫停工作。當(dāng)外接2變成低電平后,計(jì)時(shí)顯示又可在原計(jì)時(shí)顯示基礎(chǔ)上累加計(jì)時(shí),從而可實(shí)現(xiàn)累加計(jì)時(shí)功能。在工作原理圖中開關(guān)K2可實(shí)現(xiàn)此功能。
K3為工作模式選擇,當(dāng)K3接通時(shí),時(shí)間繼電器的工作模式為間隔定時(shí),也就是當(dāng)時(shí)間繼電器接通工作電源后,芯片OUT輸出端先輸出高電平,致使內(nèi)部執(zhí)行繼電器工作,待所設(shè)定的延時(shí)到達(dá)后OUT無高電平輸出,執(zhí)行繼電器釋放;如K3不接通,時(shí)間繼電器為常規(guī)的通電延時(shí)型,
工作狀態(tài)與間隔定時(shí)相反。
總之,針對時(shí)間繼電器的工作特點(diǎn)而研制的時(shí)間芯片有其多時(shí)基選擇、時(shí)間預(yù)置方便、顯示直觀、時(shí)間整定誤差小等優(yōu)點(diǎn),是常規(guī)的CMOS計(jì)數(shù)分頻集成電路無法來實(shí)現(xiàn)的。
典型應(yīng)用控制線路分析
在常規(guī)Y-△的電動(dòng)機(jī)控制線路中,時(shí)間繼電器的延時(shí)控制使電機(jī)在Y形啟動(dòng)切換至△形運(yùn)行起到有效的控制。
按下Y-△控制回路啟動(dòng)按鈕SB2,時(shí)間繼電器KT得電,在得電的同時(shí)KT的瞬動(dòng)觸點(diǎn)對SB2形成自鎖,KM3接觸器線圈得電,KM3主觸頭閉合,其常開輔助觸頭閉合,主回路KM1接觸器得電,主回路接通;KM3常閉輔助觸頭斷開,確保接觸器KM3工作時(shí),KM2不能投入工作,此時(shí)電動(dòng)機(jī)處于Y形啟動(dòng)狀態(tài)。
當(dāng)時(shí)間繼電器KT延時(shí)到達(dá)后(KT的時(shí)間設(shè)置可根據(jù)所控制Y-△啟動(dòng)電動(dòng)機(jī)的功率來設(shè)定)。時(shí)間繼電器的延時(shí)常開和延時(shí)常閉觸頭轉(zhuǎn)換,致使交流接觸器KM3線圈失電,主觸頭斷開,交流接觸器KM2得電,其輔助觸頭對KM1、KT觸點(diǎn)進(jìn)行自鎖,保證交流接觸器KM2吸合工作,使電機(jī)在△形運(yùn)行。
時(shí)間繼電器的使用環(huán)境
時(shí)間繼電器作為自動(dòng)控制器件應(yīng)用較廣泛,尤其是在涉及低壓電器控制網(wǎng)絡(luò)中有較多電器設(shè)備環(huán)境中使用時(shí)電磁干擾問題更趨于嚴(yán)重。組成時(shí)間繼電器的內(nèi)部元器件的損壞這時(shí)已不是引起時(shí)間繼電器故障(失效)的主要原因,而在于應(yīng)用場合中的各種干擾通過電磁耦合、電容耦合直接進(jìn)入時(shí)間繼電器,干擾其正常的延時(shí)控制。時(shí)間繼電器在此干擾環(huán)境下能否正常工作往往會(huì)影響到整個(gè)自動(dòng)控制系統(tǒng)的正常邏輯功能,甚至還可能造成大的質(zhì)量事故和經(jīng)濟(jì)損失。所以時(shí)間繼電器在各種惡劣環(huán)境都應(yīng)有較高的可靠性和抗干擾能力,也就是說時(shí)間繼電器必須有良好的電磁兼容性能,只有這樣才能完善其產(chǎn)品質(zhì)量,提高自身的市場競爭能力。
工作電源部分的抑制措施
在實(shí)際工作使用中,一般采用下述方法來進(jìn)行抑制,提高其產(chǎn)品的抗干擾能力。
采用隔離變壓器;選擇合適的壓敏電阻;在供電輸出口加高頻旁路電容等方法提高產(chǎn)品的抗干擾能力。
振蕩頻率f 與RC有以下近似關(guān)系f=1/2.2Rt?Cr(Vdd=10V)。如考慮振蕩器的穩(wěn)定性,減少由于器件參數(shù)的差異而引起的振蕩周期的變化Rs>Rt(Rs=10Rt時(shí),振蕩周期基本上不隨Vdd的變化而變化)為保證振蕩能可靠起振。在選擇Rt與Ct時(shí)應(yīng)注意其條件,Rt>1KΩ?Cr>1000Pf,否則很難保證振蕩電路可靠起振。
在實(shí)際使用的時(shí)間繼電器,往往需要控制時(shí)間連續(xù)可調(diào),為保證時(shí)間可調(diào),則振蕩回路Rt可選擇線性較好X型可調(diào)電位器。延時(shí)電容可選擇穩(wěn)定性好的CBB聚丙烯電容,時(shí)間繼電器標(biāo)牌延時(shí)刻度可根據(jù)所選擇的可調(diào)電位器機(jī)械行程的偏轉(zhuǎn)角度來定,從而使設(shè)定時(shí)間值(標(biāo)牌刻度示值)與實(shí)際延時(shí)值相吻合,以減少整定誤差。
譬如要設(shè)置10s,可將Rt選擇,1MΩ可調(diào)電位器,Ct可選擇104 pF,輸出分頻端從15腳Q10引出,則大
延時(shí)值為11S,因集成是在時(shí)鐘脈沖下降沿的作用下作增量計(jì)數(shù),則大延時(shí)時(shí)間Tmax=2 n-1 ? t= 2 10-1 ?2?2? RtCt= 2 9 ?2?2? 106×104×10-12 =11s。
當(dāng)4060集成振蕩器部分也可配晶振,使之構(gòu)成典型的晶體振蕩器,在此就不多加贅述。
該芯片采用CMOS工藝,具有微功耗,抗干擾能力強(qiáng)(內(nèi)部采用硬件編程),外配石英振蕩器,多種時(shí)基選擇,具有通電延時(shí)和間隔定時(shí)兩種工作模式。四位延時(shí)整定,具有BCD碼輸出,可配譯碼器LED數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)顯示延時(shí)時(shí)間。具有延時(shí)精度高、顯示直觀、延時(shí)整定方便等優(yōu)點(diǎn)?,F(xiàn)有逐步替代常規(guī)的CMOS計(jì)時(shí)分頻集成電路的趨勢。
在芯片OSC1、OSC2、OSC3外接晶振以及電阻構(gòu)成并聯(lián)晶體振蕩器產(chǎn)生32768Hz主脈沖,主脈沖分別進(jìn)入芯片內(nèi)置的時(shí)序電路和分頻器時(shí)基選擇電路,使之產(chǎn)生時(shí)序脈沖,并在P1、P2、P3、P4輸出BCD碼,P5產(chǎn)生相應(yīng)的秒脈沖。P5產(chǎn)生的秒脈沖在配相應(yīng)的元器件后可反映時(shí)間繼電器的工作狀態(tài),當(dāng)延時(shí)來到時(shí),秒脈沖可使線路的LED發(fā)光管處于閃爍狀態(tài),待延時(shí)到達(dá)后,LED為常亮狀態(tài),而在此時(shí),D1、D2、D3、D4產(chǎn)生位置顯示掃描脈沖以及時(shí)基脈沖。
時(shí)間設(shè)置可通過SA1、SA2、SA3、SA4撥碼開關(guān)進(jìn)行個(gè)、十、百、千的“8、4、2、1”設(shè)定至芯片寄存器中,以備在芯片內(nèi)部比較電路中進(jìn)行比較。K3與K4分別可設(shè)定工作模式和時(shí)基選擇,并將設(shè)定輸入到芯片內(nèi)部工作模式寄存器和時(shí)基寄存器中,在芯片外部配相應(yīng)的電源和7段鎖存譯碼驅(qū)動(dòng)器,則可顯示延時(shí)值。當(dāng)延時(shí)顯示值與撥碼設(shè)定值相吻合后,芯片內(nèi)部所設(shè)定的比較電路工作使芯片12端OUT輸出高電平來驅(qū)動(dòng)三極管V1導(dǎo)通,從而使執(zhí)行繼電器吸合工作,延時(shí)觸頭對外圍線路進(jìn)行控制。
另外,該芯片有7種時(shí)基供選擇,分別由D1、D2、D3與P5構(gòu)成相應(yīng)的二進(jìn)制碼來進(jìn)行設(shè)定。設(shè)定選擇時(shí)基可用符合下述二進(jìn)制碼的特制撥碼開關(guān)完成,以方便用戶的時(shí)基選擇。如用戶有特殊需求,片1腳GATE還具有累加計(jì)時(shí)功能,1腳在低電平時(shí)分頻器連續(xù)工作,當(dāng)接入高電平時(shí)計(jì)數(shù)器分頻器暫停工作。當(dāng)外接2變成低電平后,計(jì)時(shí)顯示又可在原計(jì)時(shí)顯示基礎(chǔ)上累加計(jì)時(shí),從而可實(shí)現(xiàn)累加計(jì)時(shí)功能。在工作原理圖中開關(guān)K2可實(shí)現(xiàn)此功能。
K3為工作模式選擇,當(dāng)K3接通時(shí),時(shí)間繼電器的工作模式為間隔定時(shí),也就是當(dāng)時(shí)間繼電器接通工作電源后,芯片OUT輸出端先輸出高電平,致使內(nèi)部執(zhí)行繼電器工作,待所設(shè)定的延時(shí)到達(dá)后OUT無高電平輸出,執(zhí)行繼電器釋放;如K3不接通,時(shí)間繼電器為常規(guī)的通電延時(shí)型,
工作狀態(tài)與間隔定時(shí)相反。
總之,針對時(shí)間繼電器的工作特點(diǎn)而研制的時(shí)間芯片有其多時(shí)基選擇、時(shí)間預(yù)置方便、顯示直觀、時(shí)間整定誤差小等優(yōu)點(diǎn),是常規(guī)的CMOS計(jì)數(shù)分頻集成電路無法來實(shí)現(xiàn)的。
典型應(yīng)用控制線路分析
在常規(guī)Y-△的電動(dòng)機(jī)控制線路中,時(shí)間繼電器的延時(shí)控制使電機(jī)在Y形啟動(dòng)切換至△形運(yùn)行起到有效的控制。
按下Y-△控制回路啟動(dòng)按鈕SB2,時(shí)間繼電器KT得電,在得電的同時(shí)KT的瞬動(dòng)觸點(diǎn)對SB2形成自鎖,KM3接觸器線圈得電,KM3主觸頭閉合,其常開輔助觸頭閉合,主回路KM1接觸器得電,主回路接通;KM3常閉輔助觸頭斷開,確保接觸器KM3工作時(shí),KM2不能投入工作,此時(shí)電動(dòng)機(jī)處于Y形啟動(dòng)狀態(tài)。
當(dāng)時(shí)間繼電器KT延時(shí)到達(dá)后(KT的時(shí)間設(shè)置可根據(jù)所控制Y-△啟動(dòng)電動(dòng)機(jī)的功率來設(shè)定)。時(shí)間繼電器的延時(shí)常開和延時(shí)常閉觸頭轉(zhuǎn)換,致使交流接觸器KM3線圈失電,主觸頭斷開,交流接觸器KM2得電,其輔助觸頭對KM1、KT觸點(diǎn)進(jìn)行自鎖,保證交流接觸器KM2吸合工作,使電機(jī)在△形運(yùn)行。
時(shí)間繼電器的使用環(huán)境
時(shí)間繼電器作為自動(dòng)控制器件應(yīng)用較廣泛,尤其是在涉及低壓電器控制網(wǎng)絡(luò)中有較多電器設(shè)備環(huán)境中使用時(shí)電磁干擾問題更趨于嚴(yán)重。組成時(shí)間繼電器的內(nèi)部元器件的損壞這時(shí)已不是引起時(shí)間繼電器故障(失效)的主要原因,而在于應(yīng)用場合中的各種干擾通過電磁耦合、電容耦合直接進(jìn)入時(shí)間繼電器,干擾其正常的延時(shí)控制。時(shí)間繼電器在此干擾環(huán)境下能否正常工作往往會(huì)影響到整個(gè)自動(dòng)控制系統(tǒng)的正常邏輯功能,甚至還可能造成大的質(zhì)量事故和經(jīng)濟(jì)損失。所以時(shí)間繼電器在各種惡劣環(huán)境都應(yīng)有較高的可靠性和抗干擾能力,也就是說時(shí)間繼電器必須有良好的電磁兼容性能,只有這樣才能完善其產(chǎn)品質(zhì)量,提高自身的市場競爭能力。
工作電源部分的抑制措施
在實(shí)際工作使用中,一般采用下述方法來進(jìn)行抑制,提高其產(chǎn)品的抗干擾能力。
采用隔離變壓器;選擇合適的壓敏電阻;在供電輸出口加高頻旁路電容等方法提高產(chǎn)品的抗干擾能力。
振蕩頻率f 與RC有以下近似關(guān)系f=1/2.2Rt?Cr(Vdd=10V)。如考慮振蕩器的穩(wěn)定性,減少由于器件參數(shù)的差異而引起的振蕩周期的變化Rs>Rt(Rs=10Rt時(shí),振蕩周期基本上不隨Vdd的變化而變化)為保證振蕩能可靠起振。在選擇Rt與Ct時(shí)應(yīng)注意其條件,Rt>1KΩ?Cr>1000Pf,否則很難保證振蕩電路可靠起振。
在實(shí)際使用的時(shí)間繼電器,往往需要控制時(shí)間連續(xù)可調(diào),為保證時(shí)間可調(diào),則振蕩回路Rt可選擇線性較好X型可調(diào)電位器。延時(shí)電容可選擇穩(wěn)定性好的CBB聚丙烯電容,時(shí)間繼電器標(biāo)牌延時(shí)刻度可根據(jù)所選擇的可調(diào)電位器機(jī)械行程的偏轉(zhuǎn)角度來定,從而使設(shè)定時(shí)間值(標(biāo)牌刻度示值)與實(shí)際延時(shí)值相吻合,以減少整定誤差。
譬如要設(shè)置10s,可將Rt選擇,1MΩ可調(diào)電位器,Ct可選擇104 pF,輸出分頻端從15腳Q10引出,則大
延時(shí)值為11S,因集成是在時(shí)鐘脈沖下降沿的作用下作增量計(jì)數(shù),則大延時(shí)時(shí)間Tmax=2 n-1 ? t= 2 10-1 ?2?2? RtCt= 2 9 ?2?2? 106×104×10-12 =11s。
當(dāng)4060集成振蕩器部分也可配晶振,使之構(gòu)成典型的晶體振蕩器,在此就不多加贅述。
該芯片采用CMOS工藝,具有微功耗,抗干擾能力強(qiáng)(內(nèi)部采用硬件編程),外配石英振蕩器,多種時(shí)基選擇,具有通電延時(shí)和間隔定時(shí)兩種工作模式。四位延時(shí)整定,具有BCD碼輸出,可配譯碼器LED數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)顯示延時(shí)時(shí)間。具有延時(shí)精度高、顯示直觀、延時(shí)整定方便等優(yōu)點(diǎn)?,F(xiàn)有逐步替代常規(guī)的CMOS計(jì)時(shí)分頻集成電路的趨勢。
在芯片OSC1、OSC2、OSC3外接晶振以及電阻構(gòu)成并聯(lián)晶體振蕩器產(chǎn)生32768Hz主脈沖,主脈沖分別進(jìn)入芯片內(nèi)置的時(shí)序電路和分頻器時(shí)基選擇電路,使之產(chǎn)生時(shí)序脈沖,并在P1、P2、P3、P4輸出BCD碼,P5產(chǎn)生相應(yīng)的秒脈沖。P5產(chǎn)生的秒脈沖在配相應(yīng)的元器件后可反映時(shí)間繼電器的工作狀態(tài),當(dāng)延時(shí)來到時(shí),秒脈沖可使線路的LED發(fā)光管處于閃爍狀態(tài),待延時(shí)到達(dá)后,LED為常亮狀態(tài),而在此時(shí),D1、D2、D3、D4產(chǎn)生位置顯示掃描脈沖以及時(shí)基脈沖。
時(shí)間設(shè)置可通過SA1、SA2、SA3、SA4撥碼開關(guān)進(jìn)行個(gè)、十、百、千的“8、4、2、1”設(shè)定至芯片寄存器中,以備在芯片內(nèi)部比較電路中進(jìn)行比較。K3與K4分別可設(shè)定工作模式和時(shí)基選擇,并將設(shè)定輸入到芯片內(nèi)部工作模式寄存器和時(shí)基寄存器中,在芯片外部配相應(yīng)的電源和7段鎖存譯碼驅(qū)動(dòng)器,則可顯示延時(shí)值。當(dāng)延時(shí)顯示值與撥碼設(shè)定值相吻合后,芯片內(nèi)部所設(shè)定的比較電路工作使芯片12端OUT輸出高電平來驅(qū)動(dòng)三極管V1導(dǎo)通,從而使執(zhí)行繼電器吸合工作,延時(shí)觸頭對外圍線路進(jìn)行控制。
另外,該芯片有7種時(shí)基供選擇,分別由D1、D2、D3與P5構(gòu)成相應(yīng)的二進(jìn)制碼來進(jìn)行設(shè)定。設(shè)定選擇時(shí)基可用符合下述二進(jìn)制碼的特制撥碼開關(guān)完成,以方便用戶的時(shí)基選擇。如用戶有特殊需求,片1腳GATE還具有累加計(jì)時(shí)功能,1腳在低電平時(shí)分頻器連續(xù)工作,當(dāng)接入高電平時(shí)計(jì)數(shù)器分頻器暫停工作。當(dāng)外接2變成低電平后,計(jì)時(shí)顯示又可在原計(jì)時(shí)顯示基礎(chǔ)上累加計(jì)時(shí),從而可實(shí)現(xiàn)累加計(jì)時(shí)功能。在工作原理圖中開關(guān)K2可實(shí)現(xiàn)此功能。
K3為工作模式選擇,當(dāng)K3接通時(shí),時(shí)間繼電器的工作模式為間隔定時(shí),也就是當(dāng)時(shí)間繼電器接通工作電源后,芯片OUT輸出端先輸出高電平,致使內(nèi)部執(zhí)行繼電器工作,待所設(shè)定的延時(shí)到達(dá)后OUT無高電平輸出,執(zhí)行繼電器釋放;如K3不接通,時(shí)間繼電器為常規(guī)的通電延時(shí)型,
工作狀態(tài)與間隔定時(shí)相反。
總之,針對時(shí)間繼電器的工作特點(diǎn)而研制的時(shí)間芯片有其多時(shí)基選擇、時(shí)間預(yù)置方便、顯示直觀、時(shí)間整定誤差小等優(yōu)點(diǎn),是常規(guī)的CMOS計(jì)數(shù)分頻集成電路無法來實(shí)現(xiàn)的。
典型應(yīng)用控制線路分析
在常規(guī)Y-△的電動(dòng)機(jī)控制線路中,時(shí)間繼電器的延時(shí)控制使電機(jī)在Y形啟動(dòng)切換至△形運(yùn)行起到有效的控制。
按下Y-△控制回路啟動(dòng)按鈕SB2,時(shí)間繼電器KT得電,在得電的同時(shí)KT的瞬動(dòng)觸點(diǎn)對SB2形成自鎖,KM3接觸器線圈得電,KM3主觸頭閉合,其常開輔助觸頭閉合,主回路KM1接觸器得電,主回路接通;KM3常閉輔助觸頭斷開,確保接觸器KM3工作時(shí),KM2不能投入工作,此時(shí)電動(dòng)機(jī)處于Y形啟動(dòng)狀態(tài)。
當(dāng)時(shí)間繼電器KT延時(shí)到達(dá)后(KT的時(shí)間設(shè)置可根據(jù)所控制Y-△啟動(dòng)電動(dòng)機(jī)的功率來設(shè)定)。時(shí)間繼電器的延時(shí)常開和延時(shí)常閉觸頭轉(zhuǎn)換,致使交流接觸器KM3線圈失電,主觸頭斷開,交流接觸器KM2得電,其輔助觸頭對KM1、KT觸點(diǎn)進(jìn)行自鎖,保證交流接觸器KM2吸合工作,使電機(jī)在△形運(yùn)行。
時(shí)間繼電器的使用環(huán)境
時(shí)間繼電器作為自動(dòng)控制器件應(yīng)用較廣泛,尤其是在涉及低壓電器控制網(wǎng)絡(luò)中有較多電器設(shè)備環(huán)境中使用時(shí)電磁干擾問題更趨于嚴(yán)重。組成時(shí)間繼電器的內(nèi)部元器件的損壞這時(shí)已不是引起時(shí)間繼電器故障(失效)的主要原因,而在于應(yīng)用場合中的各種干擾通過電磁耦合、電容耦合直接進(jìn)入時(shí)間繼電器,干擾其正常的延時(shí)控制。時(shí)間繼電器在此干擾環(huán)境下能否正常工作往往會(huì)影響到整個(gè)自動(dòng)控制系統(tǒng)的正常邏輯功能,甚至還可能造成大的質(zhì)量事故和經(jīng)濟(jì)損失。所以時(shí)間繼電器在各種惡劣環(huán)境都應(yīng)有較高的可靠性和抗干擾能力,也就是說時(shí)間繼電器必須有良好的電磁兼容性能,只有這樣才能完善其產(chǎn)品質(zhì)量,提高自身的市場競爭能力。
工作電源部分的抑制措施
在實(shí)際工作使用中,一般采用下述方法來進(jìn)行抑制,提高其產(chǎn)品的抗干擾能力。
采用隔離變壓器;選擇合適的壓敏電阻;在供電輸出口加高頻旁路電容等方法提高產(chǎn)品的抗干擾能力。
振蕩頻率f 與RC有以下近似關(guān)系f=1/2.2Rt?Cr(Vdd=10V)。如考慮振蕩器的穩(wěn)定性,減少由于器件參數(shù)的差異而引起的振蕩周期的變化Rs>Rt(Rs=10Rt時(shí),振蕩周期基本上不隨Vdd的變化而變化)為保證振蕩能可靠起振。在選擇Rt與Ct時(shí)應(yīng)注意其條件,Rt>1KΩ?Cr>1000Pf,否則很難保證振蕩電路可靠起振。
在實(shí)際使用的時(shí)間繼電器,往往需要控制時(shí)間連續(xù)可調(diào),為保證時(shí)間可調(diào),則振蕩回路Rt可選擇線性較好X型可調(diào)電位器。延時(shí)電容可選擇穩(wěn)定性好的CBB聚丙烯電容,時(shí)間繼電器標(biāo)牌延時(shí)刻度可根據(jù)所選擇的可調(diào)電位器機(jī)械行程的偏轉(zhuǎn)角度來定,從而使設(shè)定時(shí)間值(標(biāo)牌刻度示值)與實(shí)際延時(shí)值相吻合,以減少整定誤差。
譬如要設(shè)置10s,可將Rt選擇,1MΩ可調(diào)電位器,Ct可選擇104 pF,輸出分頻端從15腳Q10引出,則大
延時(shí)值為11S,因集成是在時(shí)鐘脈沖下降沿的作用下作增量計(jì)數(shù),則大延時(shí)時(shí)間Tmax=2 n-1 ? t= 2 10-1 ?2?2? RtCt= 2 9 ?2?2? 106×104×10-12 =11s。
當(dāng)4060集成振蕩器部分也可配晶振,使之構(gòu)成典型的晶體振蕩器,在此就不多加贅述。
該芯片采用CMOS工藝,具有微功耗,抗干擾能力強(qiáng)(內(nèi)部采用硬件編程),外配石英振蕩器,多種時(shí)基選擇,具有通電延時(shí)和間隔定時(shí)兩種工作模式。四位延時(shí)整定,具有BCD碼輸出,可配譯碼器LED數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)顯示延時(shí)時(shí)間。具有延時(shí)精度高、顯示直觀、延時(shí)整定方便等優(yōu)點(diǎn)?,F(xiàn)有逐步替代常規(guī)的CMOS計(jì)時(shí)分頻集成電路的趨勢。
在芯片OSC1、OSC2、OSC3外接晶振以及電阻構(gòu)成并聯(lián)晶體振蕩器產(chǎn)生32768Hz主脈沖,主脈沖分別進(jìn)入芯片內(nèi)置的時(shí)序電路和分頻器時(shí)基選擇電路,使之產(chǎn)生時(shí)序脈沖,并在P1、P2、P3、P4輸出BCD碼,P5產(chǎn)生相應(yīng)的秒脈沖。P5產(chǎn)生的秒脈沖在配相應(yīng)的元器件后可反映時(shí)間繼電器的工作狀態(tài),當(dāng)延時(shí)來到時(shí),秒脈沖可使線路的LED發(fā)光管處于閃爍狀態(tài),待延時(shí)到達(dá)后,LED為常亮狀態(tài),而在此時(shí),D1、D2、D3、D4產(chǎn)生位置顯示掃描脈沖以及時(shí)基脈沖。
時(shí)間設(shè)置可通過SA1、SA2、SA3、SA4撥碼開關(guān)進(jìn)行個(gè)、十、百、千的“8、4、2、1”設(shè)定至芯片寄存器中,以備在芯片內(nèi)部比較電路中進(jìn)行比較。K3與K4分別可設(shè)定工作模式和時(shí)基選擇,并將設(shè)定輸入到芯片內(nèi)部工作模式寄存器和時(shí)基寄存器中,在芯片外部配相應(yīng)的電源和7段鎖存譯碼驅(qū)動(dòng)器,則可顯示延時(shí)值。當(dāng)延時(shí)顯示值與撥碼設(shè)定值相吻合后,芯片內(nèi)部所設(shè)定的比較電路工作使芯片12端OUT輸出高電平來驅(qū)動(dòng)三極管V1導(dǎo)通,從而使執(zhí)行繼電器吸合工作,延時(shí)觸頭對外圍線路進(jìn)行控制。
另外,該芯片有7種時(shí)基供選擇,分別由D1、D2、D3與P5構(gòu)成相應(yīng)的二進(jìn)制碼來進(jìn)行設(shè)定。設(shè)定選擇時(shí)基可用符合下述二進(jìn)制碼的特制撥碼開關(guān)完成,以方便用戶的時(shí)基選擇。如用戶有特殊需求,片1腳GATE還具有累加計(jì)時(shí)功能,1腳在低電平時(shí)分頻器連續(xù)工作,當(dāng)接入高電平時(shí)計(jì)數(shù)器分頻器暫停工作。當(dāng)外接2變成低電平后,計(jì)時(shí)顯示又可在原計(jì)時(shí)顯示基礎(chǔ)上累加計(jì)時(shí),從而可實(shí)現(xiàn)累加計(jì)時(shí)功能。在工作原理圖中開關(guān)K2可實(shí)現(xiàn)此功能。
K3為工作模式選擇,當(dāng)K3接通時(shí),時(shí)間繼電器的工作模式為間隔定時(shí),也就是當(dāng)時(shí)間繼電器接通工作電源后,芯片OUT輸出端先輸出高電平,致使內(nèi)部執(zhí)行繼電器工作,待所設(shè)定的延時(shí)到達(dá)后OUT無高電平輸出,執(zhí)行繼電器釋放;如K3不接通,時(shí)間繼電器為常規(guī)的通電延時(shí)型,
工作狀態(tài)與間隔定時(shí)相反。
總之,針對時(shí)間繼電器的工作特點(diǎn)而研制的時(shí)間芯片有其多時(shí)基選擇、時(shí)間預(yù)置方便、顯示直觀、時(shí)間整定誤差小等優(yōu)點(diǎn),是常規(guī)的CMOS計(jì)數(shù)分頻集成電路無法來實(shí)現(xiàn)的。
典型應(yīng)用控制線路分析
在常規(guī)Y-△的電動(dòng)機(jī)控制線路中,時(shí)間繼電器的延時(shí)控制使電機(jī)在Y形啟動(dòng)切換至△形運(yùn)行起到有效的控制。
按下Y-△控制回路啟動(dòng)按鈕SB2,時(shí)間繼電器KT得電,在得電的同時(shí)KT的瞬動(dòng)觸點(diǎn)對SB2形成自鎖,KM3接觸器線圈得電,KM3主觸頭閉合,其常開輔助觸頭閉合,主回路KM1接觸器得電,主回路接通;KM3常閉輔助觸頭斷開,確保接觸器KM3工作時(shí),KM2不能投入工作,此時(shí)電動(dòng)機(jī)處于Y形啟動(dòng)狀態(tài)。
當(dāng)時(shí)間繼電器KT延時(shí)到達(dá)后(KT的時(shí)間設(shè)置可根據(jù)所控制Y-△啟動(dòng)電動(dòng)機(jī)的功率來設(shè)定)。時(shí)間繼電器的延時(shí)常開和延時(shí)常閉觸頭轉(zhuǎn)換,致使交流接觸器KM3線圈失電,主觸頭斷開,交流接觸器KM2得電,其輔助觸頭對KM1、KT觸點(diǎn)進(jìn)行自鎖,保證交流接觸器KM2吸合工作,使電機(jī)在△形運(yùn)行。
時(shí)間繼電器的使用環(huán)境
時(shí)間繼電器作為自動(dòng)控制器件應(yīng)用較廣泛,尤其是在涉及低壓電器控制網(wǎng)絡(luò)中有較多電器設(shè)備環(huán)境中使用時(shí)電磁干擾問題更趨于嚴(yán)重。組成時(shí)間繼電器的內(nèi)部元器件的損壞這時(shí)已不是引起時(shí)間繼電器故障(失效)的主要原因,而在于應(yīng)用場合中的各種干擾通過電磁耦合、電容耦合直接進(jìn)入時(shí)間繼電器,干擾其正常的延時(shí)控制。時(shí)間繼電器在此干擾環(huán)境下能否正常工作往往會(huì)影響到整個(gè)自動(dòng)控制系統(tǒng)的正常邏輯功能,甚至還可能造成大的質(zhì)量事故和經(jīng)濟(jì)損失。所以時(shí)間繼電器在各種惡劣環(huán)境都應(yīng)有較高的可靠性和抗干擾能力,也就是說時(shí)間繼電器必須有良好的電磁兼容性能,只有這樣才能完善其產(chǎn)品質(zhì)量,提高自身的市場競爭能力。
工作電源部分的抑制措施
在實(shí)際工作使用中,一般采用下述方法來進(jìn)行抑制,提高其產(chǎn)品的抗干擾能力。
采用隔離變壓器;選擇合適的壓敏電阻;在供電輸出口加高頻旁路電容等方法提高產(chǎn)品的抗干擾能力。
振蕩頻率f 與RC有以下近似關(guān)系f=1/2.2Rt?Cr(Vdd=10V)。如考慮振蕩器的穩(wěn)定性,減少由于器件參數(shù)的差異而引起的振蕩周期的變化Rs>Rt(Rs=10Rt時(shí),振蕩周期基本上不隨Vdd的變化而變化)為保證振蕩能可靠起振。在選擇Rt與Ct時(shí)應(yīng)注意其條件,Rt>1KΩ?Cr>1000Pf,否則很難保證振蕩電路可靠起振。
在實(shí)際使用的時(shí)間繼電器,往往需要控制時(shí)間連續(xù)可調(diào),為保證時(shí)間可調(diào),則振蕩回路Rt可選擇線性較好X型可調(diào)電位器。延時(shí)電容可選擇穩(wěn)定性好的CBB聚丙烯電容,時(shí)間繼電器標(biāo)牌延時(shí)刻度可根據(jù)所選擇的可調(diào)電位器機(jī)械行程的偏轉(zhuǎn)角度來定,從而使設(shè)定時(shí)間值(標(biāo)牌刻度示值)與實(shí)際延時(shí)值相吻合,以減少整定誤差。
譬如要設(shè)置10s,可將Rt選擇,1MΩ可調(diào)電位器,Ct可選擇104 pF,輸出分頻端從15腳Q10引出,則大
延時(shí)值為11S,因集成是在時(shí)鐘脈沖下降沿的作用下作增量計(jì)數(shù),則大延時(shí)時(shí)間Tmax=2 n-1 ? t= 2 10-1 ?2?2? RtCt= 2 9 ?2?2? 106×104×10-12 =11s。
當(dāng)4060集成振蕩器部分也可配晶振,使之構(gòu)成典型的晶體振蕩器,在此就不多加贅述。
該芯片采用CMOS工藝,具有微功耗,抗干擾能力強(qiáng)(內(nèi)部采用硬件編程),外配石英振蕩器,多種時(shí)基選擇,具有通電延時(shí)和間隔定時(shí)兩種工作模式。四位延時(shí)整定,具有BCD碼輸出,可配譯碼器LED數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)顯示延時(shí)時(shí)間。具有延時(shí)精度高、顯示直觀、延時(shí)整定方便等優(yōu)點(diǎn)?,F(xiàn)有逐步替代常規(guī)的CMOS計(jì)時(shí)分頻集成電路的趨勢。
在芯片OSC1、OSC2、OSC3外接晶振以及電阻構(gòu)成并聯(lián)晶體振蕩器產(chǎn)生32768Hz主脈沖,主脈沖分別進(jìn)入芯片內(nèi)置的時(shí)序電路和分頻器時(shí)基選擇電路,使之產(chǎn)生時(shí)序脈沖,并在P1、P2、P3、P4輸出BCD碼,P5產(chǎn)生相應(yīng)的秒脈沖。P5產(chǎn)生的秒脈沖在配相應(yīng)的元器件后可反映時(shí)間繼電器的工作狀態(tài),當(dāng)延時(shí)來到時(shí),秒脈沖可使線路的LED發(fā)光管處于閃爍狀態(tài),待延時(shí)到達(dá)后,LED為常亮狀態(tài),而在此時(shí),D1、D2、D3、D4產(chǎn)生位置顯示掃描脈沖以及時(shí)基脈沖。
時(shí)間設(shè)置可通過SA1、SA2、SA3、SA4撥碼開關(guān)進(jìn)行個(gè)、十、百、千的“8、4、2、1”設(shè)定至芯片寄存器中,以備在芯片內(nèi)部比較電路中進(jìn)行比較。K3與K4分別可設(shè)定工作模式和時(shí)基選擇,并將設(shè)定輸入到芯片內(nèi)部工作模式寄存器和時(shí)基寄存器中,在芯片外部配相應(yīng)的電源和7段鎖存譯碼驅(qū)動(dòng)器,則可顯示延時(shí)值。當(dāng)延時(shí)顯示值與撥碼設(shè)定值相吻合后,芯片內(nèi)部所設(shè)定的比較電路工作使芯片12端OUT輸出高電平來驅(qū)動(dòng)三極管V1導(dǎo)通,從而使執(zhí)行繼電器吸合工作,延時(shí)觸頭對外圍線路進(jìn)行控制。
另外,該芯片有7種時(shí)基供選擇,分別由D1、D2、D3與P5構(gòu)成相應(yīng)的二進(jìn)制碼來進(jìn)行設(shè)定。設(shè)定選擇時(shí)基可用符合下述二進(jìn)制碼的特制撥碼開關(guān)完成,以方便用戶的時(shí)基選擇。如用戶有特殊需求,片1腳GATE還具有累加計(jì)時(shí)功能,1腳在低電平時(shí)分頻器連續(xù)工作,當(dāng)接入高電平時(shí)計(jì)數(shù)器分頻器暫停工作。當(dāng)外接2變成低電平后,計(jì)時(shí)顯示又可在原計(jì)時(shí)顯示基礎(chǔ)上累加計(jì)時(shí),從而可實(shí)現(xiàn)累加計(jì)時(shí)功能。在工作原理圖中開關(guān)K2可實(shí)現(xiàn)此功能。
K3為工作模式選擇,當(dāng)K3接通時(shí),時(shí)間繼電器的工作模式為間隔定時(shí),也就是當(dāng)時(shí)間繼電器接通工作電源后,芯片OUT輸出端先輸出高電平,致使內(nèi)部執(zhí)行繼電器工作,待所設(shè)定的延時(shí)到達(dá)后OUT無高電平輸出,執(zhí)行繼電器釋放;如K3不接通,時(shí)間繼電器為常規(guī)的通電延時(shí)型,
工作狀態(tài)與間隔定時(shí)相反。
總之,針對時(shí)間繼電器的工作特點(diǎn)而研制的時(shí)間芯片有其多時(shí)基選擇、時(shí)間預(yù)置方便、顯示直觀、時(shí)間整定誤差小等優(yōu)點(diǎn),是常規(guī)的CMOS計(jì)數(shù)分頻集成電路無法來實(shí)現(xiàn)的。
典型應(yīng)用控制線路分析
在常規(guī)Y-△的電動(dòng)機(jī)控制線路中,時(shí)間繼電器的延時(shí)控制使電機(jī)在Y形啟動(dòng)切換至△形運(yùn)行起到有效的控制。
按下Y-△控制回路啟動(dòng)按鈕SB2,時(shí)間繼電器KT得電,在得電的同時(shí)KT的瞬動(dòng)觸點(diǎn)對SB2形成自鎖,KM3接觸器線圈得電,KM3主觸頭閉合,其常開輔助觸頭閉合,主回路KM1接觸器得電,主回路接通;KM3常閉輔助觸頭斷開,確保接觸器KM3工作時(shí),KM2不能投入工作,此時(shí)電動(dòng)機(jī)處于Y形啟動(dòng)狀態(tài)。
當(dāng)時(shí)間繼電器KT延時(shí)到達(dá)后(KT的時(shí)間設(shè)置可根據(jù)所控制Y-△啟動(dòng)電動(dòng)機(jī)的功率來設(shè)定)。時(shí)間繼電器的延時(shí)常開和延時(shí)常閉觸頭轉(zhuǎn)換,致使交流接觸器KM3線圈失電,主觸頭斷開,交流接觸器KM2得電,其輔助觸頭對KM1、KT觸點(diǎn)進(jìn)行自鎖,保證交流接觸器KM2吸合工作,使電機(jī)在△形運(yùn)行。
時(shí)間繼電器的使用環(huán)境
時(shí)間繼電器作為自動(dòng)控制器件應(yīng)用較廣泛,尤其是在涉及低壓電器控制網(wǎng)絡(luò)中有較多電器設(shè)備環(huán)境中使用時(shí)電磁干擾問題更趨于嚴(yán)重。組成時(shí)間繼電器的內(nèi)部元器件的損壞這時(shí)已不是引起時(shí)間繼電器故障(失效)的主要原因,而在于應(yīng)用場合中的各種干擾通過電磁耦合、電容耦合直接進(jìn)入時(shí)間繼電器,干擾其正常的延時(shí)控制。時(shí)間繼電器在此干擾環(huán)境下能否正常工作往往會(huì)影響到整個(gè)自動(dòng)控制系統(tǒng)的正常邏輯功能,甚至還可能造成大的質(zhì)量事故和經(jīng)濟(jì)損失。所以時(shí)間繼電器在各種惡劣環(huán)境都應(yīng)有較高的可靠性和抗干擾能力,也就是說時(shí)間繼電器必須有良好的電磁兼容性能,只有這樣才能完善其產(chǎn)品質(zhì)量,提高自身的市場競爭能力。
工作電源部分的抑制措施
在實(shí)際工作使用中,一般采用下述方法來進(jìn)行抑制,提高其產(chǎn)品的抗干擾能力。
采用隔離變壓器;選擇合適的壓敏電阻;在供電輸出口加高頻旁路電容等方法提高產(chǎn)品的抗干擾能力。
SEEMATZ QC02525 電路板
SEEMATZ QC02282 ,Control panel for EFN 525 XBO 230V/1000W 電路板
SEEMATZ Control 463-525,according to attached figure 電路板
SEEMATZ QC02282,Control panel for 525 XBO 230V/1000W 電路板
SEEMATZ Remote Control Panel without focal,Artikelnr:PANEL-OF 聚焦控制面板
SEEMATZ Type:EFN 525 XBO 230V-2000W,Artikelnr:53471-03E 探照燈
SEEMATZ EFN 525 XBO 230V/1000W 探照燈+控制板
SEEMATZ EFN 525 XBO 230V-2000W 探照燈+控制板
SEEMATZ Main control Card for 3 wipers 主板
SEEPEX TMFM200000000FXXXX NTC GF1-65 熱敏電阻
SEEPEX SGRTSE230AC 微處理器
SEG MRR1-D DC220V 5A 繼電器
SEHREIBER SM210.15.L1X54 NR 9-902-117 位移傳感器
SEHREIBER SM210.15.L1X54 SER NR 22935 Equipment nr6-300 Allround 位移傳感器
seidel 8.5820.4512.4096 編碼器
seidel DBL3N00130-00-3.000 電機(jī)
Seifert 20.KGXX.4266.0101 空調(diào)
Seifert 20.KGXX.4269.0101 空調(diào)
Seifert KG-4295, 230VAC, 50/60Hz,Nr.: 42950001 空調(diào)
Seifert KG-4266 42660003 RAL9005 冷卻裝置
Seifert RK-2114B400FU, 230VAC, 700 W (L35W10-200l/h) 熱交換器
Seifert RK-2114 B400 230 V 50/60 Hz 熱交換器
Seika XB1I Sensor N4 (-15°...+90°) PGL, Elektronik vergossen 編碼器
Seika SB2I Sensoren N2 (+/-10°) 4...20mA Elektronik vergossen 編碼器
Seika SB2I N2 (+/-10°) 4...20mA 編碼器
Seika XB1I Sensor N4 +/-50° ,4...20mA,Elektronik vergossen 編碼器
Seika XB1I Sensor N4 (-15°...+90°) PGL Elektronik vergossen 編碼器
Seika Sensorbox XB1I Sensor N3 (0...50°) 4...20mA 編碼器
Seika Sensorbox XB1I Sensor NG3 (+1°...+30°)with Gehaeuse 編碼器
Seika Sensorbox XB1I Sensor NG3 (+1°...+30°) 編碼器
Seika NA2-10 (+/-10), 0…5V 傳感器
Seika Seika NA2-10 (+/-10), 0…5V 感應(yīng)傳感器
Seika XB1-SB1I-NG3+OLFLEX440CP 傾角傳感器
Seika NA4-70 傾斜計(jì)
Seika typ NA4-70 傾斜儀
FSG PK620d/MU-i01V AN 1574Z05-032.001 電位計(jì)
FSG PK620MIId-17 電位計(jì)
IFM PK6521 傳感器
IFM PK6521 傳感器
IFM PK6521 壓力傳感器
MSE PK6521,execution 0-250bar 壓力傳感器
IFM PK6523 壓力開關(guān)
IFM PK6523 壓力開關(guān)
IFM PK6531 壓力傳感器
Nadella GmbH PK72C 導(dǎo)輥
Nadella GmbH PK72C 滾輪
Eplax PK75 116-410018B 電源
EPLAX GmbH PK75 PF 116-410018B 電源
Murr PKB 54250 接頭
cembre PKD1510 端子
cembre PKD1510 端子
cembre PKD2512 插頭
cembre PKD2512 端子
cembre PKD2512 端子
cembre PKD2512 端子
ZIEHL-ABEGG PKDM12 304589 風(fēng)機(jī)
Eaton Electric GmbH PKE12 121721 馬達(dá)保護(hù)開關(guān)
Eaton Electric GmbH PKE12 121721 馬達(dá)保護(hù)開關(guān)
Eaton Electric GmbH PKE12 121721 馬達(dá)保護(hù)開關(guān)
Eaton Electric GmbH PKE32 121722 馬達(dá)保護(hù)開關(guān)
Eaton Electric GmbH PKE32 121722 馬達(dá)保護(hù)開關(guān)
Eaton Electric GmbH PKE32 121722 馬達(dá)保護(hù)開關(guān)
Eaton Electric GmbH PKE65 138258 馬達(dá)保護(hù)開關(guān)
Eaton Electric GmbH PKE65 138258 馬達(dá)保護(hù)開關(guān)
Eaton Electric GmbH PKE65 138258 馬達(dá)保護(hù)開關(guān)
Eaton Electric GmbH PKE-XTU-1.2 121723 脫口器模塊
Eaton Electric GmbH PKE-XTU-1.2 121723 脫口器模塊
Eaton Electric GmbH PKE-XTU-1.2 121723 脫口器模塊
Eaton Electric GmbH PKE-XTU-12 121725 脫口器模塊
Eaton Electric GmbH PKE-XTU-12 121725 脫口器模塊
士Selectron Systems- GZU30 AC220V-240V 0-160S
瑞士Selectron Systems- SMT 086.090.048 annex 7
瑞士Selectron Systems- HRBD2830
瑞士Selectron Systems- GZU30 24VDC
瑞士Selectron Systems- EMR SU31D1
瑞士Selectron Systems- GZU30 24VDC
瑞士Selectron Systems- SMT 086.090.048 annex 7
瑞士Selectron Systems- GZU30 AC220V-240V 0-160S
瑞士Selectron Systems- EMR SU31D1
瑞士Selectron Systems- HRBD2830
瑞士Selectron Systems- HRBD2830
瑞士Selectron Systems- GZU30 24VDC
瑞士Selectron Systems- GZU30 AC220V-240V 0-160S
瑞士Selectron Systems- EMR SU31D1
瑞士Selectron Systems- SMT 086.090.048 annex 7
SELECTRON 44210025 ULIB1131-CAP1131軟件
SELECTRON 44210025 ULIB1131-CAP1131軟件
SELECTRON MFTU22P時(shí)間繼電器 EV200AANA EV200HAANA HC-1 HC-2 HC-3 HC-4 HC-5 HC-6 HC-11 KC-11 KC-18 KC-2 K40P334 K41A232 K41B332 K41C332 K41C334 K43A332 K43B332 K43C234 K43C334 K61C841 K81AB57 K81A235 K81A345 K81B235 | |
產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)︰ | 30NO-24D 230NO-24D 330NO-24D 30NO-24A 230NO-24A 330NO-24A 3020A 23020A 33020A 30NO-220A 230NO-220A 330NO-220A 213 100NC-24D-6A 24VDC 121 198 ma 4.8 4.8 100NC-120A-6A 120VAC 380 125 ma 5.9 15.0 100NC-220A-6A 220VAC 1400 76 ma 8.1 16.7 1002DH-6A 12VDC 16 750 ma 9.0 9.0 100NO-24AH-6A 24VAC 16 760 ma 9.2 18.2 100NO-24DH-6A 24VDC 65 370 ma 8.9 8.9 10020AH-6A 12-VAC 380 158 ma 9.5 19.0 100NO-220AH-6A 220VAC 1400 90 ma 11.3 19.8 35NO-24A 24VAC 50 242 5.8 2.9 3520A 120VAC 1250 53 6.4 3.5 35NO-208A 208VAC 3400 30 6.2 3.1 35NO-220A 220VAC 4800 28 6.2 3.8 35NO-277A 277VAC 7900 20 5.5 3.2 35NO-480A 480VAC 20000 12 5.9 3.0 35NO-6D 6VDC 13 462 2.8 2.8 352D 12VDC 36 333 4.0 4.0 35NO-24D 24VDC 176 136 3.3 3.3 35NO-48D 48VDC 860 56 2.7 2.7 3525D 125VDC 3400 37 4.6 4.6 35NO-250D 250VDC 14800 17 4.2 4.2 35NC-24A 24VAC 36 310 7.4 3.5 35NC-120A 120VAC 860 65 7.8 3.6 35NC-220A 220VAC 3400 31 6.8 3.3 35NC-12D 12VDC 36 333 4.0 4.0 35NC-24D 24VDC 176 136 3.3 3.3 35NC-48D 48VDC 560 86 4.1 4.1 35NC-125D 125VDC 3400 37 4.6 4.6 60NO-24A 24VAC 50 259 6.2 3.4 6020A 120VAC 1250 48 5.8 2.9 60NO-208A 208VAC 3400 30 6.2 3.1 60NO-220A 220VAC 4800 27 5.9 3.5 60NO-277A 277VAC 7900 19 5.3 2.9 60NO-480A 480VAC 20000 12 5.8 2.9 602D 12VDC 36 333 4.0 4.0 60NO-24D 24VDC 176 136 3.3 3.3 60NO-48D 48VDC 636 75 3.6 3.6 6025D 125VDC 3400 37 4.6 4.6 60NO-240D 250VDC 14800 17 4.3 4.3 60NC-24A 24VAC 36 325 7.8 5.3 60NC-120A 120VAC 860 69 8.3 4.1 60NC-220A 220VAC 3400 34 7.5 3.9 60NC-277A 277VAC 7900 26 7.3 5.5 60NC-12D 12VDC 36 333 4.0 4.0 60NC-24D 24VDC 140 171 4.1 4.1 60NC-48D 48VDC 560 86 4.1 4.1 60NC-125D 125VDC 3400 37 4.6 4.6 100NO-24A 24VAC 16 646 15.5 6.7 10020A 120VAC 380 137 16.4 7.1 100NO-220A 220VAC 1400 73 16.1 7.5 100NO-277A 277VAC 2400 55 15.2 7.3 100NO-480A 480VAC 6300 35 16.8 7.7 100NO-24D 24VDC 65 369 8.9 8.9 100NO-48D 48VDC 350 137 6.6 6.6 10025D 125VDC 2400 52 6.5 6.5 100NC-24A 24VAC 16 515 12.4 4.2 100NC-120A 120VAC 380 110 13.2 4.6 100NC-208A 220VAC 1400 55 11.4 4.2 100NC-240A 240VAC 1685 49 11.8 4.0 100NC-480A 480VAC 6300 27 13.0 4.6 MDI 100NC-12D 12VDC 28 433 5.2 5.2 100NC-24D 24VDC 121 198 4.8 4.8 100NC-48D 48VDC 380 126 6.1 6.1 100NC-125D 125VDC 2400 52 6.5 6.5 |
---|
產(chǎn)品范圍:
瑞士SELECTRON計(jì)時(shí)器、SELECTRON繼電器、SELECTRON監(jiān)控繼電器、SELECTRON固態(tài)繼電器、SELECTRON、SELECTRON變頻器、SELECTRON控制模塊、SELECTRON散熱器、SELECTRON風(fēng)扇
主要型號(hào):
CKT K1、CKT S1、EMR DF22Q、EMR DI22F、EMR DP22H、EMR DT22G、EMR DU21B1、EMR DU21C1、EMR DU21D、EMR DU22E、EMR II11Q、EMR IT13G、EMR IU11D、EMR IU11D1、EMR IU21D1、EMR IU11N、EMR SU21I、EMR SU21J、EMR SU21K、EMR SU21L、EMR SU21M、EMR SU21N、EMR SI23O、EMR SI23P、EXPOT 1、HD D6075、HL D5222K、HM D0603D PG、HQ D6010L、HS D5135M、HT D6005H、MFT SS22S、TS 90 M6