油溶性鈣鈦礦量子點(發(fā)射520±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發(fā)射500±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發(fā)射480±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發(fā)射460±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發(fā)射440±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發(fā)射420±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度...油溶性鈣鈦礦量子點(發(fā)射400±10nm) 參考價:面議
油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度...油溶性InP/ZnS量子點(發(fā)射750±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發(fā)射700±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發(fā)射650±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發(fā)射620±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發(fā)射600±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發(fā)射580±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發(fā)射550±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發(fā)射520±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...油溶性InP/ZnS量子點(發(fā)射480±10nm) 參考價:面議
油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗...油溶性ZnSe/ZnS 量子點(發(fā)射440±10nm) 參考價:面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點產(chǎn)品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密...油溶性ZnSe/ZnS 量子點(發(fā)射420±10nm) 參考價:面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點產(chǎn)品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密...油溶性ZnSe/ZnS 量子點(發(fā)射400±10nm) 參考價:面議
油溶性ZnSe/ZnS量子點產(chǎn)品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(發(fā)射820±10nm) 參考價:面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點:(1)表面為負電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(發(fā)射800±10nm) 參考價:面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點:(1)表面為負電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(發(fā)射760±10nm) 參考價:面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點:(1)表面為負電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點,發(fā)射820±10nm 參考價:面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點:(1)表面為負電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdSeTe/ZnS量子點,發(fā)射800±10nm 參考價:面議
本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點:(1)表面為負電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...