水溶性3-巰基丙酸包覆CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射700±10nm) 參考價(jià):面議
目前可提供四類水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射660±10nm) 參考價(jià):面議
目前可提供四類水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性3-巰基丙酸包覆CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議
目前可提供四類水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,...水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射640±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射560±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)(發(fā)射540±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射660±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射640±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射560±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射540±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4...水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射480±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射660±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射640±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射620±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射560±10nm) 參考價(jià):面議
水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)