單晶硅壓力變送器芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì)，其材質(zhì)特性優(yōu)于市場上通用的復(fù)合硅、擴(kuò)散硅材料，芯片采用德國的單晶硅雙梁懸浮式技術(shù)，結(jié)合了硅壓阻與硅諧振技術(shù)雙方特點(diǎn)，并從設(shè)計與工藝上做出了創(chuàng)新性優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高精度、高穩(wěn)定性、低溫度影響、超高過壓等優(yōu)異性能，*適用于工業(yè)過程控制、自動化制造、航天航空、汽車與船舶、醫(yī)療衛(wèi)生等多個領(lǐng)域。

            單晶硅壓力變送器 

隨著微電子機(jī)械加工系統(tǒng)技術(shù)的日趨成熟而為傳感器行業(yè)帶來一場新的革命，對于壓力、差壓、液位傳感器而言，其封裝的傳感器芯片本質(zhì)將決定終產(chǎn)品的性能與等級。以目前市場上廣泛采用的硅芯片技術(shù)而言，硅壓阻技術(shù)加工工藝成熟，但其信噪比特性與溫度特性有待提高；硅諧振技術(shù)加工工藝復(fù)雜過壓特性不好；本公司3351J系列單晶硅壓力變送器芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì)，其材質(zhì)特性優(yōu)于市場上通用的復(fù)合硅、擴(kuò)散硅材料，芯片采用德國的單晶硅雙梁懸浮式技術(shù)，結(jié)合了硅壓阻與硅諧振技術(shù)雙方特點(diǎn)，并從設(shè)計與工藝上做出了創(chuàng)新性優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高精度、高穩(wěn)定性、低溫度影響、超高過壓等優(yōu)異性能，*適用于工業(yè)過程控制、自動化制造、航天航空、汽車與船舶、醫(yī)療衛(wèi)生等多個領(lǐng)域。 
一、單晶硅壓力變送器性能特點(diǎn)： 
1、高純度單晶硅材質(zhì)，有效提高產(chǎn)品壽命及長期穩(wěn)定性 
2、雙惠斯通電橋設(shè)計，“雙梁”電阻溫度特性互補(bǔ)，提高芯片抗干擾能力 
3、LCD帶背光顯示數(shù)字表頭可以顯示壓力、百分比和電流及0~100%模擬指示 
4、通過按鍵組合操作能實(shí)現(xiàn)調(diào)零和調(diào)滿功能，以及數(shù)據(jù)恢復(fù)功能，方便了現(xiàn)場調(diào)試 
5、信號轉(zhuǎn)換、信號采集與處理及電流輸出控制采用了一體化集成電路（ASICS）使智能變送器具有高穩(wěn)定、高可靠、高抗震等特點(diǎn)，并具有良好的互換性 
二、單晶硅壓力變送器技術(shù)參數(shù)： 
產(chǎn)品型號：SK3351JGP-單晶硅夾板式壓力變送器SK3351JTG-單晶硅直裝式壓力變送器 
測量原理：單晶硅懸浮式 
適用場合：水壓、油壓、氣壓、負(fù)壓 
測量范圍：0~40MPa量程可選 
測量精度：±0.25%；±0.1%；±0.075%
電源：DC10.5~45V
輸出：DC4~20mA+HART
三、單晶硅壓力變送器產(chǎn)品選型：

3351J

壓力變送器

結(jié)構(gòu)形式

GP

智能夾板式

TG

智能直裝式

量程范圍

代碼

量程單位

KPa

InH2O

mBar

mmH2O

CP3

0~10

0~40

0~100

0~1000

CP4

0~40

0~160

0~400

0~4000

CP5

0~100

0~400

0~1000

0~10000

CP6

0~400

0~1600

0~4000

0~40000

CP7

0~4×103

0~16×103

0~40×103

0~400×103

CP8

0~10×103

0~40×103

0~100×103

0~1000×103

CP9

0~40×103

0~160×103

0~400×103

0~4000×103

輸出信號

S

4~20Ma+HART協(xié)議

T

特殊要求

精度等級

I75

0.075%±

I1

0.1%±

I2

0.25%±

顯示方式

M3

液晶顯示

連接型式及尺寸

R

M20*1.5（TG型）

C2

丁字形螺紋接頭M20×1.5，帶Ф14焊接引壓管（GP型）

Y

用戶約定

安裝支架型式（GP型）

B1

管裝彎支架

B2

板裝彎支架

B3

管裝平支架

隔爆等級

B

ExdiiCT6