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當前位置:北京漢達森機械技術有限公司>>壓力流體測試設備>> IRF614S, SiHF614SVISHAY半導體 MOSFET 測試設備

VISHAY半導體 MOSFET 測試設備

參   考   價: 578

訂  貨  量: ≥1 件

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號IRF614S, SiHF614S

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地北京市

更新時間:2023-12-01 15:33:36瀏覽次數(shù):276次

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應用領域 電子/電池,綜合
VISHAY半導體 MOSFET 測試設備
VISHAY功率 MOSFET 已成為標準選擇用于低壓 (<200 V) 開關模式的主開關器件電源 (SMPS) 轉(zhuǎn)換器應用。選擇VISHAY MOSFET 的主要標準是功率與VISHAY MOSFET 相關的損耗(與整體SMPS的效率)和功耗能力VISHAY MOSFET的(與最大結溫有關和封裝的熱性能) 。

 VISHAY半導體 MOSFET 測試設備

影響閘機的因素有很多VISHAY MOSFET,有必要了解其基本原理VISHAY MOSFET行為之前的器件結構的基礎可以被解釋。本應用筆記詳細介紹了基本結構溝槽VISHAY  MOSFET 結構,識別寄生組件和定義相關術語。VISHAY  MOSFET 具有多種拓撲、開關速度、負載電流和可用的輸出電壓,

 

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IRF510
IRF510S, SiHF510S
IRF520
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IRF614
IRF614S, SiHF614S
IRF620
IRF620S, SiHF620S
IRF624

VISHAY  MOSFET 已成為無法確定提供最佳性能的通用 MOSFET在廣泛的電路條件下的性能。VISHAY  MOSFET 在在某些情況下,導通電(rDS(on)) 損失占主導地位,而在其他情況下,VISHAY  MOSFET 是開關損耗瞬態(tài)電流和電壓波形,或損失與驅(qū)動器件的柵極相關聯(lián)。VISHAY  MOSFET 輸入和輸出電容可以是占主導地位的損失。

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