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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 納米壓痕儀 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,食品,化工,生物產(chǎn)業(yè) |
產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
安東帕超納米壓痕測試儀UNHT3采用真實(shí)力傳感器和位移傳感器，可用于測量材料在納米尺度下的機(jī)械性能。UNHT3 采用*的主動表面參比技術(shù)，消除了熱漂移和框架剛度的影響。因此，非常適用于對所有類型的材料（包括聚合物、納米涂層和軟組織）進(jìn)行原子到納米尺度的長時間測量。對于極低或極溫度下的測量，真空室版本 (UNHT3 HTV) 適用于 -150℃ 至 800℃ 的溫度以及低至 10-7 mbar 的真空度。
型號: 超納米壓痕測試儀：UNHT3 Standard
•環(huán)境條件下的測量
•從室溫至 200℃ 的可變溫度測試
型號: 超納米壓痕測試儀：UNHT3 HTV
•真空環(huán)境可更好地控制加熱，并保護(hù)壓痕針尖和樣品免受氧化
•全自動程序，可將熱漂移降至低
•從 -150℃ 至 800℃ 的可變溫度測試
•真空度低至 10-7 mbar
納米壓痕測試儀
UNHT3 可測量他人估計的結(jié)果：兩個獨(dú)立的位移和載荷傳感器可真正可靠地控制力和壓入深度。另外，UNHT3 采用*的主動表面參比設(shè)計：參考參比針尖記錄樣品的表面位移位置，同時針尖壓痕完成測量，以此扣除熱漂移和框架剛度影響。這種*的設(shè)計支持大范圍的壓入位移（從幾 nm 到 100 μm）和壓入載荷（從幾 μN(yùn) 到 100 mN）。
市場上穩(wěn)定性最高的納米壓痕測試儀
UNHT3 采用*的主動表面參比技術(shù)和無熱膨脹的 Zerodur 材質(zhì)，是市面上一款無需任何位移校正且熱漂移低至可忽略不計 (10 fm/sec) 的納米壓痕測試儀。憑借*的穩(wěn)定性，UNHT3 是可用來長期測量蠕變等測試的納米壓痕測試儀。
高效率和測量速度（每小時測量 >600 次）
借助該儀器*的熱穩(wěn)定性，樣品在安裝后即刻便能進(jìn)行測量，不必等待數(shù)小時以便其達(dá)到熱穩(wěn)定狀態(tài)。因此，每天可單獨(dú)測量許多樣品。使用“快速點(diǎn)陣"模式，每小時可通過真實(shí)的壓痕曲線和 600 多個壓痕。另外，用戶配置、測量模式、多樣品測量和可定制報告也促使其成為市面上效率高的儀器。
通過“Sinus 動態(tài)測量模式"進(jìn)行其他動態(tài)機(jī)械分析 (DMA)
使用集成的“Sinus 動態(tài)測量模式"，可以對機(jī)械特性進(jìn)行位移曲線 DMA 分析（HIT、EIT 對比位移），并可測量薄膜到塊狀材料等樣品的粘彈特性（E'、E''：儲能和損耗模量、tan δ）。Sinus 動態(tài)測量模式還提供其他功能，例如壓痕儀快速校正以及應(yīng)力/應(yīng)變分析。
在高真空和高達(dá) 800℃ 的高溫下進(jìn)行測量
UNHT3 的 HHT 版本是一款配備全自動程序的超納米壓痕儀，可將熱漂移降至低，在整個溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)熱漂移 <3 nm/min。這是通過*的加熱控制系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)的，該加熱控制系統(tǒng)以 0.1℃ 的精度同時控制樣品和壓痕針尖溫度。壓痕軟件控制加熱和環(huán)境條件，并與系統(tǒng)實(shí)時交互，以最大限度地減少熱漂移，并啟動所有所需的測量。您可以計劃一組具有不同溫度步長的任何類型的壓痕（也可使用標(biāo)準(zhǔn) UNHT3），儀器會根據(jù)預(yù)設(shè)矩陣自動進(jìn)行測量。
安東帕超納米壓痕測試儀UNHT3技術(shù)規(guī)格
安東帕超納米壓痕測試儀UNHT3技術(shù)規(guī)格
| 最大載荷 [mN] | 50 / 100(1) |
| 載荷分辨率 [nN] | 3 |
| 載荷背底噪聲 [rms] [μN(yùn)] | ≤0.05 |
| 加載速度 [mN/min] | 最多 1000 種 |
| 深度量程 [μm] | 50 / 100(1) |
| 深度分辨率 [nm] | 0.003 |
| 深度背底噪聲 [rms] [nm] | ≤0.03 |
| 數(shù)據(jù)采集頻率 [kHz] | 192 |
| 選件 | |
| 加熱臺的溫度可高達(dá) 200℃ | ? |
| zui低冷卻至 -120℃ (2) | ? |
| 液體測試 | ? |
(1) 可選(2) 帶環(huán)境腔體
zhuan：UNHT3 的主動表面參比技術(shù)：US 7,685,868 B2