DT640系列硅二極管溫度計(jì)選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，DT640系列硅二極管具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有DT640系列硅二極管溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。

DT64-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有*的優(yōu)勢(shì)。   

DT640硅二極管溫度計(jì)特點(diǎn)：

※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；

※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；

※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；

※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度；

※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；

※ 多種可選封裝方式；

DT640硅二極管溫度計(jì)參數(shù)

※ 溫度范圍：3K~500K；

※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640

※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；

※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。

※ 大反向電壓：75V；

※ 損壞前大電流：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A；

※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；

※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；

※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用；

※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用；

DT640硅二極管溫度計(jì)典型相應(yīng)曲線以及靈敏度

DT640硅二極管溫度計(jì)溫度范圍及精度：

DT640硅二極管溫度計(jì)封裝形式以及外形尺寸：

為滿足不同用戶使用條件的需求，錦正茂可以提供多種形式結(jié)構(gòu)類型的溫度計(jì)封裝以及尺寸，下面幾種均為常見(jiàn)的封裝形式和其具體尺寸。我們也可以按照客戶需求進(jìn)行設(shè)計(jì)。

MS：帶公制螺絲    BO：線軸封裝    PI：管式封裝     BC：裸片 

該封裝形式適用于DT640、PT100、Cernox以及其他體積較小的傳感裸片

DT640硅二極管溫度計(jì)訂購(gòu)說(shuō)明

未校準(zhǔn)的傳感器

步驟一：確定傳感器的系列，比如DT-640

步驟二：選擇傳感器的精度等級(jí)，比如DT-640A

步驟三：選擇包裝和固定形式，并將包裝后綴放到傳感器型號(hào)后面， 比如DT-640A-BO

校準(zhǔn)的傳感器

步驟一：確定傳感器的系列，比如DT-640

步驟二：選擇傳感器的標(biāo)定范圍，比如DT-640-3L

步驟三：選擇封裝形式，并將封裝形式作為后綴放到傳感器型號(hào)后面，比如DT-640-3L-BO

 DT640硅二極管溫度計(jì)