半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀

技術(shù)指標(biāo)

1.小電流i-v ： 超低漏電流（fA），最 大電壓200V，最大電流1A； 2.高電壓I-V ： 最大電壓1000V 3.通用I-V ： 適合于大多數(shù)參數(shù)測(cè)試 4.c-v單元： 能夠在1MHz下測(cè)量10pF電 容，準(zhǔn)確度達(dá)1%。

主要功能

自動(dòng)完成多路硅微條探測(cè)器中多條探測(cè)單元的I-V特性、C-V特性、擊穿特性等參數(shù)測(cè)量，無需人工一點(diǎn)一點(diǎn)的測(cè)量。其主要任務(wù)是快速高效地甄別多路硅微條探測(cè)性能，從而優(yōu)化工藝，提高探測(cè)器性能，更好的服務(wù)于核物理實(shí)驗(yàn)。

半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀

武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業(yè)研發(fā)，以力學(xué)試驗(yàn)機(jī)儀器為主，同時(shí)銷售各種、中低端分析儀器?，F(xiàn)有員工60多人，公司成功開發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗(yàn)軟件，并采用全數(shù)字化，操作簡捷，*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標(biāo)準(zhǔn)、國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求，公司亦通過了ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證和國家計(jì)量體系認(rèn)證，榮獲了“武漢市第九界消費(fèi)者滿意單位"的稱號(hào)。