半導(dǎo)體SiC動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

技術(shù)指標(biāo)

1.小電流i-v ： 超低漏電流（fA），最 大電壓200V，最大電流1A； 2.高電壓I-V ： 最大電壓1000V 3.通用I-V ： 適合于大多數(shù)參數(shù)測(cè)試 4.c-v單元： 能夠在1MHz下測(cè)量10pF電 容，準(zhǔn)確度達(dá)1%。

主要功能

自動(dòng)完成多路硅微條探測(cè)器中多條探測(cè)單元的I-V特性、C-V特性、擊穿特性等參數(shù)測(cè)量，無(wú)需人工一點(diǎn)一點(diǎn)的測(cè)量。其主要任務(wù)是快速高效地甄別多路硅微條探測(cè)性能，從而優(yōu)化工藝，提高探測(cè)器性能，更好的服務(wù)于核物理實(shí)驗(yàn)。

包括：

半導(dǎo)體二極管：鍺二極管、硅二極管、化合物二極管等；

半導(dǎo)體三極管：鍺三極管、硅三極管、化合物三極管等；

特種器件及傳感器；

敏感器件：壓力敏感器件、磁敏器件（含霍爾器件及霍爾電路）、氣敏器件、濕敏器件、離子敏感器件、聲敏感器件、射線(xiàn)敏感器件、生物敏感器件、靜電感器件等；

裝好的壓電晶體類(lèi)似半導(dǎo)體器件；

半導(dǎo)體器件專(zhuān)用零件。

半導(dǎo)體SiC動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

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