產(chǎn)品分類品牌分類
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AAA+級(jí)雙光太陽(yáng)光模擬器 AAA太陽(yáng)光模擬器 150W 太陽(yáng)光模擬器 聚光太陽(yáng)光模擬器 太陽(yáng)能電池IV性能測(cè)試儀 太陽(yáng)能電池組件測(cè)試儀 太陽(yáng)能電池測(cè)試 多通道太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試 OLED模擬軟件 太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試 太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試 光纖太陽(yáng)光模擬器 光譜響應(yīng)/量子效率量測(cè)儀 全光譜太陽(yáng)光模擬器 太陽(yáng)能電池量子效率測(cè)試系統(tǒng) AAA級(jí)太陽(yáng)光模擬器 雙燈太陽(yáng)光模擬器 穩(wěn)態(tài)太陽(yáng)光模擬器 瞬態(tài)光電流/光電壓測(cè)試系統(tǒng) 太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試設(shè)備 載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
薄膜應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng),又名薄膜應(yīng)力計(jì)或薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)!采用非接觸MOS激光技術(shù);不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響;同時(shí)大大提高了測(cè)試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;
典型用戶:Harvard University 2套,
Stanford University,
Johns Hopkins University,
Brown University 2套,
Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,
西安交通大學(xué),
中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院等、
半導(dǎo)體和微電子制造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等;
相關(guān)產(chǎn)品:
*實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS Film Stress Tester):同樣采用多光束MOS技術(shù),可裝在各種真空沉積設(shè)備上(如:MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects),對(duì)于薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測(cè)量和二維成像分析;
*薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)(kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester)
薄膜應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù):
kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System,kSA MOS Film Stress Mapping System;
1.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍:300mm (XY)(可選);
2.XY雙向掃描速度:可達(dá)20mm/s;
3.XY雙向掃描平臺(tái)掃描步進(jìn)/分辨率:down to 2 μm ;
4.樣品holder兼容:50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品;
5.程序化控制掃描模式:選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描;
6.成像功能:樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像,及3D成像分析;
7.測(cè)量功能:曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等;
主要特點(diǎn):
1.程序化控制掃描模式:?jiǎn)吸c(diǎn)掃描、選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全樣品積掃描;
2.成像功能:樣品表面2D曲率成像,定量薄膜應(yīng)力2D成像分析;
3.測(cè)量功能:薄膜應(yīng)力、翹曲、曲率半徑等;
4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測(cè)量功能,溫度范圍-65C to 1000C;
5.薄膜殘余應(yīng)力測(cè)量;
實(shí)際應(yīng)用