聚偏氟乙烯電紡纖維薄膜-厚度200um
靜電紡絲技術(shù)是目前制備納米纖維重要的基本方法。這一技術(shù)的核心是使帶電荷的高分子溶液或熔體在靜電場中流動并發(fā)生形變,然后經(jīng)溶劑蒸發(fā)或熔體冷卻而固化，于是得到纖維狀物質(zhì)，這一過程簡稱電紡。

聚偏氟乙烯電紡纖維薄膜-厚度200um
通過高效靜電紡絲方法一步制備核殼結(jié)構(gòu)的銀納米線/聚偏氟乙烯(AgNWs/PVDF)復(fù)合納米材料.通過SEM,TEM等手段對復(fù)合材料進(jìn)行表征,揭示其核心保護(hù)套結(jié)構(gòu),得到了PVDF和納米銀線的微觀形貌以及兩者的濃度關(guān)系,并分析提出在靜電紡絲過程中AgNWs/PVDF復(fù)合納米材料的可能形成機(jī)理.

多孔聚氧化乙烯納米纖維薄膜-靜電紡絲技術(shù)

纖維狀結(jié)構(gòu)聚氧化乙烯納米膜

多孔組織支架PEO纖維膜

靜電紡絲聚氧化乙烯PEO纖維薄膜-片狀

不同纖維直徑聚氧化乙烯納米纖維膜

介孔PEO靜電紡絲纖維薄膜

多孔聚氧化乙烯纖維薄膜

介孔PEO纖維薄膜

不同取向度纖維狀PEO聚氧化乙烯薄膜

PEO聚氧化乙烯纖維膜-纖維直徑500nm

聚氧化乙烯電紡纖維薄膜-厚度200um

PEO電紡纖維膜-孔徑30um

聚氧化乙烯靜電紡絲纖維薄膜-孔隙率（80%）

多孔薄膜PLA納米纖維500nm（厚度：100/200/500）um或1cm

多孔薄膜PLA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PLGA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PLGA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PCL納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PCL納米纖維200nm（厚度：100/200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PLA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PLA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PLGA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PLGA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PCL納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PCL納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

溫馨提示：以上產(chǎn)品僅用于科研，不用于人體（ZN2021.07）