CuInP2Se6晶體，拓撲材料，半導(dǎo)體

材料名稱：CuInP2Se6晶體

性質(zhì)分類：拓撲材料，半導(dǎo)體，紅外材料，鐵磁性材料

禁帶寬度：0.311 eV

合成方法：CVT

剝離難易程度：易

保存注意事項：晶體穩(wěn)定，不需要特殊保存

用途：僅用于科研，不能用于人體

CuInP2Se6晶體，拓撲材料，半導(dǎo)體

CuInP2Se6是一種由銅（Cu）、銦（In）、磷（P）、硒（Se）元素組成的化合物，通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。

這種化合物可能屬于半導(dǎo)體材料的一種，其層狀結(jié)構(gòu)和化學(xué)組成可能導(dǎo)致其具有一些電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。對于CuInP2Se6的研究可能涉及對其晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)特性以及其他物理特性的探索。

這類材料的研究對于半導(dǎo)體器件、光電傳感器和其他電子器件的發(fā)展可能具有一定的意義。然而，關(guān)于CuInP2Se6晶體的詳細信息和其在實際應(yīng)用中的潛在價值，可能需要更深入的研究和實驗驗證。

相關(guān)產(chǎn)品：

GeTe crystals 碲化鍺晶體 (Germanium telluride)

BiTe 碲化鉍晶體 (Bismuth Telluride)

WTe2 二碲化鎢晶體 (Tungsten Ditelluride)

GaSeTe 碲化硒鎵晶體 (Gallium Selenide Telluride)

As2Te3 crystals 三碲化砷晶體

HfTe2 二碲化鉿晶體 (Hafnium ditelluride)

Bi2-xTlxTe3 - Thalium alloyed Bi2Te3 crystals 鈦合金-二碲化鉍晶體

InTe 碲化銦晶體 (Indium Telluride)

ZrTe2 二碲化鋯晶體

GaTe 碲化鎵晶體 (Gallium Telluride) 

CoTe2 碲化鈷晶體 (Cobalt ditelluride)

FeTe 碲化鐵晶體 (Iron Telluride)

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.14.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。