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InSiTe3晶體,半導(dǎo)體

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更新時(shí)間:2023-12-19 09:37:39瀏覽次數(shù):140次

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InSiTe3晶體,半導(dǎo)體
InSiTe3代表一種由銦(In)、硅(Si)和碲(Te)元素組成的化合物。這種化合物屬于層狀化合物,具有晶體結(jié)構(gòu)。InSiTe3是一種可能具有電學(xué)、磁學(xué)或光學(xué)性質(zhì)的材料。

InSiTe3晶體,半導(dǎo)體

材料名稱:InSiTe3晶體

性質(zhì)分類:半導(dǎo)體,熱電材料

禁帶寬度:0.8 eV

合成方法:CVT

剝離難易程度:易

保存注意事項(xiàng):晶體穩(wěn)定性一般,需要避開水氧保存

image.png

研磨成粉末測試XRD

image.png

InSiTe3晶體,半導(dǎo)體

InSiTe3代表一種由銦(In)、硅(Si)和碲(Te)元素組成的化合物。這種化合物屬于層狀化合物,具有晶體結(jié)構(gòu)。

InSiTe3是一種可能具有電學(xué)、磁學(xué)或光學(xué)性質(zhì)的材料。層狀化合物通常具有在不同方向上的電子結(jié)構(gòu),這可能導(dǎo)致其在電子學(xué)、光電子學(xué)或其他領(lǐng)域有一定的應(yīng)用潛力。

西安吳然生物供應(yīng)紫磷晶體,黑磷晶體,碲化鋯晶體,硒化鈀晶體,黑磷-砷晶體,硒化銦晶體,硒化錸晶體,硒化鉭晶體等等產(chǎn)品。


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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.19.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。

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