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| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷(xiāo)商
所 在 地西安市
更新時(shí)間：2023-12-20 10:05:28瀏覽次數(shù)：200次
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?V2NiSe4晶體，超導(dǎo)材料，拓?fù)浣^緣體
| 供貨周期 | 一周 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
|---|
Nb2SiTe4晶體，半導(dǎo)體，紅外材料
材料名稱(chēng)：Nb2SiTe4晶體
性質(zhì)分類(lèi)：半導(dǎo)體，紅外材料，ferroelastic semiconductors
禁帶寬度：0.2 eV
合成方法：CVT
剝離難易程度：易
保存注意事項(xiàng)：晶體穩(wěn)定性較好，但需要避開(kāi)水氧保存
存儲(chǔ)：4℃冷藏、密封、避光
保存時(shí)間：1年
規(guī)格：mg
包裝：瓶裝/袋裝
用途：僅用于科研，不能用于人體
粉體XRD 測(cè)試
Nb2SiTe4晶體，半導(dǎo)體，紅外材料
Nb2SiTe4是一種由鈮（Nb）、硅（Si）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于層狀材料。它具有晶體結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)，因其在拓?fù)浣^緣體領(lǐng)域的性質(zhì)而引起了科學(xué)家們的關(guān)注。
類(lèi)似于其他拓?fù)浣^緣體材料，Nb2SiTe4可能表現(xiàn)出在表面或邊界上存在能帶結(jié)構(gòu)的性質(zhì)，這些性質(zhì)使其在電子學(xué)、量子計(jì)算以及其他領(lǐng)域有著潛在的應(yīng)用價(jià)值。
然而，對(duì)于Nb2SiTe4的具體性質(zhì)和在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用潛力，科學(xué)界可能仍在進(jìn)行研究。對(duì)于新型材料，在拓?fù)浣^緣體領(lǐng)域，科學(xué)家們通常會(huì)對(duì)其進(jìn)行深入研究，以充分了解其性質(zhì)并探索其在新型電子學(xué)器件和技術(shù)中的應(yīng)用。
相關(guān)產(chǎn)品：
Cu3SbS3晶體
CuBi3PbS6晶體
CuInP2Se6晶體
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GeBi2Te4晶體
GeBi4Te7晶體
GeSb4Te7晶體
HfS3晶體
HgPSe3晶體
以上資料來(lái)自西安昊然生物小編JMY 2023.12.20.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。
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