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所 在 地西安市
更新時(shí)間:2023-12-21 11:35:08瀏覽次數(shù):156次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 化工儀器網(wǎng)?V2NiSe4晶體,超導(dǎo)材料,拓?fù)浣^緣體
供貨周期 | 一周 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
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Sn2Te晶體,拓?fù)浣^緣體
中文名稱:Sn2Te晶體
性質(zhì)分類:拓?fù)浣^緣體
禁帶寬度:0.1eV
合成方法:CVT
剝離難易程度:易
保存注意事項(xiàng):晶體穩(wěn)定,需要避免水氧保存
保存時(shí)間:1年
規(guī)格:mg
包裝:瓶裝/袋裝
用途:僅用于科研,不能用于人體
西安吳然生物供應(yīng)紫磷晶體,黑磷晶體,碲化鋯晶體,硒化鈀晶體,黑磷-砷晶體,硒化銦晶體,硒化錸晶體,硒化鉭晶體等等產(chǎn)品。
Sn2Te晶體,拓?fù)浣^緣體
Sn2Te是錫(Sn)和碲(Te)的化合物,是一種層狀結(jié)構(gòu)的材料。它是一種拓?fù)浣^緣體,具有電子能帶結(jié)構(gòu)和拓?fù)湫再|(zhì)。
這種化合物的晶體結(jié)構(gòu)由錫和碲原子以層狀排列組成,形成類似于石墨烯的層狀結(jié)構(gòu)。Sn2Te在室溫下是一個(gè)半導(dǎo)體,并且在層間存在著拓?fù)浣^緣態(tài),這使得它在電子學(xué)和量子信息領(lǐng)域備受關(guān)注。
Sn2Te因其電子結(jié)構(gòu),在表面態(tài)和邊緣態(tài)方面的性質(zhì),被認(rèn)為對于拓?fù)淞孔佑?jì)算和量子信息處理有潛在應(yīng)用。研究人員正在探索它在拓?fù)浣^緣體、量子霍爾效應(yīng)以及其他拓?fù)潆娮訉W(xué)方面的潛在應(yīng)用。
相關(guān)產(chǎn)品:
紫磷晶體 Violet Phosphorus crystal
黑磷晶體 Black Phosphorus
碲化鋯晶體 ZrTe3 Crystal
硒化鈀晶體 PdSe2 Crystal
黑磷-砷晶體 Black phosphorus - As crystal
硒化銦晶體 In2Se3 Crystal
硒化錸晶體 ReSe2 Crystal
硒化鉭晶體 2H-TaSe2 Crystal
硒化錫晶體 SnSe2(Tin Selenide)
硒化鎵晶體 GaSe Crystal
硒化釩晶體 VSe2 Crystal
硒化鉿晶體 HfSe2 Crystal
紫磷晶體粉末 Violet Phosphorus powder
以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.21.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。
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