SnBi2Te4晶體，拓?fù)浣^緣體，熱電材料

中文名稱：SnBi2Te4晶體

性質(zhì)分類：拓?fù)浣^緣體，熱電材料，紅外半導(dǎo)體

禁帶寬度：0.429eV

合成方法：CVT

剝離難易程度：易

保存注意事項(xiàng)：晶體穩(wěn)定，需要避免水氧保存

保存時(shí)間：1年

規(guī)格：mg

包裝：瓶裝/袋裝

用途：僅用于科研，不能用于人體

西安吳然生物供應(yīng)紫磷晶體，黑磷晶體，碲化鋯晶體，硒化鈀晶體，黑磷-砷晶體，硒化銦晶體，硒化錸晶體，硒化鉭晶體等等產(chǎn)品。

SnBi2Te4晶體，拓?fù)浣^緣體，熱電材料

SnBi2Te4是一種拓?fù)浣^緣體，屬于拓?fù)浣^緣體材料家族的一部分。它是由錫（Sn）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，具有層狀結(jié)構(gòu)。

這種材料的晶體結(jié)構(gòu)由錫、鉍和碲原子以層狀排列組成，這種排列方式形成了層狀結(jié)構(gòu)。SnBi2Te4因其電子結(jié)構(gòu)，在表面態(tài)和邊緣態(tài)上存在著拓?fù)湫再|(zhì)，這使得它在拓?fù)潆娮訉W(xué)和量子信息領(lǐng)域引起了關(guān)注。

由于其電子結(jié)構(gòu)和能帶特性，SnBi2Te4被廣泛用于研究拓?fù)浣^緣體、拓?fù)涑瑢?dǎo)體以及量子計(jì)算等領(lǐng)域。這些材料在量子信息存儲(chǔ)和處理中有潛在的應(yīng)用前景，因?yàn)樗鼈儽憩F(xiàn)出的邊緣態(tài)能夠保護(hù)量子比特免受外部擾動(dòng)。

相關(guān)產(chǎn)品：

溴化鉻晶體 CrBr3 Crystal

硒化鉑晶體 PtSe2 Crystal

碲化鉬晶體 MoTe2 (Molybdenum Ditelluride)

硒化鈦晶體 1T-TiSe2 Crystal

硒化鉬晶體 MoSe2 (Molybdenum Diselenide)

硒化鈮晶體 2H-NbSe2 Crystal

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硫化鉿晶體 HfS2 Crystal

硫化鈮晶體 NbS2 Crystal

金云母晶體 MICA Phlogopite (KMg3AISi3O10(OH)2)

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.21.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。