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CVD二維薄膜、碲化鉍薄膜(Bi2Te3)

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更新時間:2024-01-30 17:21:35瀏覽次數(shù):157次

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CVD二維薄膜、碲化鉍薄膜(Bi2Te3)
碲化鉍是一種三維拓撲絕緣體,同時也是熱電材料。其在薄層形式下具有特殊的電學(xué)性質(zhì),表現(xiàn)出拓撲絕緣體的行為。

CVD二維薄膜、碲化鉍薄膜(Bi2Te3)

【基本信息】

中文名稱:碲化鉍薄膜

英文名稱:Bi2Te3薄膜

純度:99.9%

存儲:-20℃冷藏、密封、避光

保存時間:1年

用途:僅用于科研,不能用于人體

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CVD二維薄膜、碲化鉍薄膜(Bi2Te3)

【詳情描述】

碲化鉍(Bi2Te3):

性質(zhì): 碲化鉍是一種三維拓撲絕緣體,同時也是熱電材料。其在薄層形式下具有特殊的電學(xué)性質(zhì),表現(xiàn)出拓撲絕緣體的行為。

應(yīng)用: Bi2Te3在熱電材料領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用,用于制造熱電模塊、熱電發(fā)電器等設(shè)備。

CVD二維薄膜:

CVD(化學(xué)氣相沉積): CVD是一種通過氣相前體在基底表面沉積薄膜的技術(shù)。在納米科技中,CVD廣泛用于制備二維材料的薄膜。

應(yīng)用: CVD生長的二維薄膜通常具有可控的厚度和晶體質(zhì)量,適用于納米電子學(xué)、光電子學(xué)、傳感器等應(yīng)用領(lǐng)域。

【推薦產(chǎn)品】

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.30.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。


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