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二硒化鉑薄膜、PtSe2薄膜、CVD二維薄膜二硒化鉑是一種二維過渡金屬二硫族化合物。它屬于過渡金屬二硫族化合物中的一員，具有特殊的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。應(yīng)用：這種材料...

二硫化鉬薄膜、MoS2薄膜、CVD二維薄膜MoS2可選基底較多，其中硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍(lán)寶石基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如PET，PI，ITO，F(xiàn)T...

二硫化鎢薄膜、WS2薄膜、CVD二維薄膜WS2可選基底較多，其中藍(lán)寶石基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：SiO2/Si,　硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻...

二硒化鉬薄膜、MoSe2薄膜、CVD二維薄膜MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃...

二硒化鎢薄膜、WSe2薄膜、CVD二維薄膜WSe2可選基底較多，其中藍(lán)寶石基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：SiO2/Si,　硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO...

薄膜、石墨烯納米銀線復(fù)合柔性透明導(dǎo)電膜石墨烯納米銀線復(fù)合柔性透明導(dǎo)電膜在柔性電子器件中具有廣泛的應(yīng)用前景，例如可穿戴設(shè)備、智能窗戶、太陽能電池等。這種材料具有高...

石墨炔膜，薄膜，cas154702-15-5石墨炔膜是一種新型的二維碳材料，它結(jié)合了石墨烯和炔烴的優(yōu)點(diǎn)，具有優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能。這種材料具有高度的穩(wěn)定性...

質(zhì)子交換膜，NAFION膜高溫質(zhì)子交換膜，NAFION是一種高分子薄膜，主要用于電化學(xué)能源領(lǐng)域，如燃料電池、電解水制氫等方面。

單層二硫化鉬連續(xù)薄膜，藍(lán)寶石基底CVD是化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition）的縮寫，是一種通過氣相反應(yīng)在基底表面沉積薄膜的技術(shù)。藍(lán)...

碳納米管膜，cas308068-56-6碳納米管膜是一種由碳納米管陣列組成的薄膜，由于其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。下面將從幾個(gè)方面介紹碳納米管膜...

碳納米管金屬?gòu)?fù)合薄膜，cas308068-56-6碳納米管金屬?gòu)?fù)合薄膜是一種新型的復(fù)合材料，它結(jié)合了碳納米管和金屬的優(yōu)點(diǎn)，具有優(yōu)異力學(xué)性能、電學(xué)性能和熱學(xué)性能。

碳化鈦?zhàn)灾伪∧ぃ═i3C2），黑色圓片碳化鈦（Ti?C?）自支撐薄膜通常是指將Ti?C?納米片層組裝成自支撐的薄膜結(jié)構(gòu)。Ti?C?是一種屬于二維過渡金屬碳化物...

SiO2/Si基單層二硫化鉬連續(xù)薄膜CVD法制備的單層二硫化鉬連續(xù)薄膜，相比較鋰插層制備的單層二硫化鉬，具有缺陷少，層數(shù)可控，光學(xué)性質(zhì)，是研究層數(shù)和熒光效應(yīng)和制...

薄膜、PET基石墨烯薄膜薄膜是一種薄而軟的透明薄片。用塑料、膠粘劑、橡膠或其他材料制成。薄膜科學(xué)上的解釋為：由原子，分子或離子沉積在基片表面形成的2維材料。例：...

HBN薄膜，單層氮化硼薄膜，SiO2/Si基底HBN薄膜可被用作金屬絕緣金屬結(jié)構(gòu)的超薄間隔層，以及電子的隧道阻擋層，使其具有廣泛的應(yīng)用，例如納米電容器、場(chǎng)效應(yīng)隧...

HBN薄膜，多層氮化硼薄膜，鎳基底多層氮化硼薄膜（鎳基）通常指的是在鎳基底上制備的多層氮化硼（h-BN）薄膜。氮化硼是由硼和氮原子組成的二維結(jié)構(gòu)材料，與單層氮化...

HBN薄膜，單層氮化硼薄膜，銅基底單層氮化硼薄膜（銅基）通常指的是在銅基底上制備的單層氮化硼（h-BN）薄膜。氮化硼是一種由硼和氮原子組成的二維晶格結(jié)構(gòu)材料，類...

?V2NiSe4晶體，超導(dǎo)材料，拓?fù)浣^緣體V2NiSe4通常是一種層狀化合物，其晶格結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致一些電子和磁性質(zhì)。

Zr5Te4晶體，拓?fù)浣^緣體Zr5Te4是一種復(fù)雜化合物，其晶體結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，通常屬于金屬-硒化物和硒化物家族。它具有電子結(jié)構(gòu)和可能的磁性特性。

碳化硅晶體，SiC?，六方晶系碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成...