可牽張拉伸微電極陣列芯片

可牽張拉伸微電極陣列芯片

美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能，以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測試和組織工程。
大腦類器官使用人體細(xì)胞來復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動物模型和 2D 細(xì)胞培養(yǎng)物相比，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺。

牽張、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析、高分辨率成像三位一體系統(tǒng)

該細(xì)胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統(tǒng)是研究人員以機械方式拉伸細(xì)胞/組織，對其進(jìn)行光學(xué)成像以及單獨/同時記錄/刺激電生理活動的完整解決方案。

技術(shù)特點概述：

2×60通道

★雙軸，單軸
★自定義應(yīng)變場
★一種快速沖動拉伸或周期性拉伸
★高達(dá)50％的應(yīng)變
★應(yīng)變速率高達(dá)80 / s
★任何拉伸圖案
★高重復(fù)性

-細(xì)胞牽張刺激前后或刺激期間，多電極刺激、阻抗定量測量以及記錄電生理活動數(shù)據(jù)采集記錄

模型可用于不同的應(yīng)用：神經(jīng)退行性疾病，神經(jīng)創(chuàng)傷，組織工程，藥物篩選