PICOSUN™P-300B原子層沉積系統(tǒng)已經(jīng)成為高產(chǎn)能ALD 制造業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。擁有熱壁、*  獨(dú)立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計(jì)， 確  保我們可以生產(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低  顆粒水平和電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì) 量ALD薄膜。高效緊湊的設(shè)計(jì)使得維護(hù)更  加方便、快捷， 最大限度的減少了系統(tǒng)的  維護(hù)停工期和使用成本。擁有技術(shù)的 Picoflow™使得在超高深寬比結(jié)構(gòu)上沉積  保形性薄膜更高效， 并已在生產(chǎn)線上得到 驗(yàn)證。

PICOSUN™P-300B原子層沉積系統(tǒng)襯底尺寸和類型

•   200mm晶圓 25片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）

•    150mm 晶圓 50片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）

•    100mm 晶圓 75片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）

•    非標(biāo)準(zhǔn)晶圓類基底（使用定制夾具）

•    高深寬比基底（最大深寬比1:2500）

工藝溫度

•    50 – 500°C

標(biāo)準(zhǔn)工藝

•   批量生產(chǎn)的平均工藝時(shí)間小于10秒/循環(huán)*

•   Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各種金屬

•    同一批次薄膜不均勻性<1% 1σ

(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**

基片加載

•    氣動升降， 手動裝載

•    線性半自動裝載

前驅(qū)體

•    液態(tài)， 固態(tài)， 氣態(tài)， 臭氧源

•    源瓶余量傳感器， 提供清洗和裝源服務(wù)

•     4根獨(dú)立的源管線，最多加載8個(gè)前驅(qū)體源