應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子/電池,航空航天,綜合

腦電共模抑制比模擬儀

CMRR 3.0E腦電圖專用共模抑制比測(cè)試儀

腦電共模抑制比模擬儀CMRR3.0E,專為腦電類產(chǎn)品共模抑制比設(shè)計(jì)的專用測(cè)試儀，專業(yè)的絕緣及接地設(shè)計(jì)，可量測(cè)更好的CMRR值，符合IEC80601-2-26:2019國(guó)際醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn)性能測(cè)試要求，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試

產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

腦電共模抑制比模擬儀CMRR3.0E,專為腦電類產(chǎn)品共模抑制比設(shè)計(jì)的專用測(cè)試儀，絕緣及接地設(shè)計(jì)，可量測(cè)更好的CMRR值，符合IEC80601-2-26:2019國(guó)際醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn)性能測(cè)試要求，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試

產(chǎn)品參數(shù)

1.專為腦電類產(chǎn)品共模抑制比設(shè)計(jì)的專用測(cè)試儀，較佳的絕緣及接地設(shè)計(jì)，可量測(cè)更好的CMRR值，符合IEC80601-2-26:2019國(guó)際醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn)性能測(cè)試要求，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試

2.針對(duì)腦電的共模抑制比(CMRR)和內(nèi)部噪聲測(cè)試所設(shè)計(jì)的測(cè)試儀

3.雙層屏蔽結(jié)構(gòu)，避免內(nèi)部與外部的噪聲干擾

4.內(nèi)建校準(zhǔn)過(guò)的正弦波產(chǎn)生器，解決外接信號(hào)產(chǎn)生器電壓供應(yīng)不足問題

5.單機(jī)即可使用觸控面板調(diào)整參數(shù)后測(cè)試，連接專用軟件后可由計(jì)算機(jī)設(shè)定參數(shù)

6.CMRR標(biāo)準(zhǔn)輔助軟件簡(jiǎn)化測(cè)試步驟，點(diǎn)擊鼠標(biāo)即可完成標(biāo)準(zhǔn)需求的測(cè)試項(xiàng)目

7.提供軟件開發(fā)工具包(Software Development Kit)，用戶可自行開發(fā)客制或全自動(dòng)化測(cè)試軟件

規(guī)格

項(xiàng)目	選項(xiàng)及說(shuō)明	規(guī)格
供應(yīng)電壓	0.5 / 2.828 / 20 / 2 / (70.71) (Vrms)	±1%*
共模點(diǎn)電壓	1.414 / 10 / 1 / (35.355) (Vrms)	±1% (0.25Vrms ±2%)
頻率	50 / 60 / 100 / 120 (Hz)	±1%
加阻抗的電極	在觸控顯示屏來(lái)選擇電極	None / RA / LA / LL / V1 / V2 / V3 / V4 / V5 / V6 / ALL
不加阻抗的電極	在觸控顯示屏來(lái)選擇電極	RA / LA / LL / V1 / V2 / V3 / V4 / V5 / V6
不平衡阻抗，R	10k?	10k? ±1%
不平衡阻抗，C	47nF	47nF ± 5%
直流偏置	內(nèi)部電池供電，DC 可以加在 RA / LA / LL / V1~V6 等電極上	150mV ± 1% 連續(xù)使用可至 40 小時(shí)
100pF 電容	利用 11:1（110M?:10MΩ）分壓器間接測(cè)量	100pF ± 5%
環(huán)境	適用于一般的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。關(guān)鍵零組件在溫濕度規(guī)格內(nèi)能穩(wěn)定運(yùn)作。 110MΩ 分壓器在濕度超過(guò) 85％時(shí)，可能會(huì)受影響。	15 - 30°C 10 - 75% RH