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半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku反射熒光X射線分析儀
采用轉(zhuǎn)子式高輸出X射線發(fā)生器和新設(shè)計(jì)的入射X射線單色儀。
使用直接TXRF測(cè)量方法實(shí)現(xiàn)了10 8 原子/cm 2的過渡金屬LLD水平。 它可實(shí)現(xiàn)相同的精度和高通量,測(cè)量時(shí)間僅為封閉式 X 射線管的 1/3。
半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku反射熒光X射線分析儀
半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku反射熒光X射線分析儀
TXRF 310Fab 概述
采用1靶3光束方式
該方法使用三種類型的光譜晶體來提取適合待測(cè)量元素的單色 X 射線束,并用它來激發(fā)污染物元素。 用于測(cè)量輕元素的W-Mα射線不會(huì)激發(fā)Si,因此可以分析Na、Mg和Al。從Na到U連續(xù)進(jìn)行高精度自動(dòng)分析。
通過消除衍射輻射,最大限度地減少散射輻射的影響
采用抑制高次反射的光學(xué)系統(tǒng)和 XY-θ 驅(qū)動(dòng)臺(tái),X 射線入射方向自動(dòng)選擇功能消除了來自基板的衍射線,并可在散射線干擾最小的情況下實(shí)現(xiàn)高信噪比測(cè)量。 可以對(duì)整個(gè)晶圓表面進(jìn)行精確且高精度的微量分析。
可將坐標(biāo)與異物檢查坐標(biāo)數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)
通過將異物檢查裝置的坐標(biāo)數(shù)據(jù)導(dǎo)入TXRF裝置,可以分析存在顆粒的位置的污染元素。 滴水軌跡搜索功能采用的算法,需要快速、準(zhǔn)確的坐標(biāo)。
高速晶圓內(nèi)污染篩查“Sweeping-TXRF功能"
可以使用Sweeping-TXRF方法,該方法使用直接TXRF方法在晶圓表面上進(jìn)行高速測(cè)量,以揭示污染物元素的分布。 可以在短時(shí)間內(nèi)對(duì)整個(gè)晶圓表面進(jìn)行污染分析,而這種分析無法通過表面內(nèi)的 5 或 9 個(gè)點(diǎn)等代表性坐標(biāo)測(cè)量來捕獲。 僅需50分鐘即可完成300mm晶圓整個(gè)表面5×10 10 個(gè)原子/cm 2污染的檢測(cè)。除了污染元素的分布外,還可以通過對(duì)整個(gè)表面的測(cè)量值進(jìn)行積分來計(jì)算晶片表面內(nèi)的平均污染濃度。
邊緣排除 0mm 無損、非接觸式污染測(cè)量“ZEE-TXRF 功能"
我們實(shí)現(xiàn)了晶圓邊緣附近的高靈敏度測(cè)量,這是以前使用 TXRF 方法無法測(cè)量的。 現(xiàn)在可以使用 TXRF 對(duì)污染集中的邊緣區(qū)域進(jìn)行污染分析。
晶圓背面全自動(dòng)測(cè)量“BAC-TXRF功能"
EFEM內(nèi)部安裝了晶圓翻轉(zhuǎn)機(jī)器人,實(shí)現(xiàn)了300mm晶圓背面污染物的全自動(dòng)無人測(cè)量。 與 ZEE-TXRF 功能結(jié)合使用時(shí),可以對(duì)晶圓各部分進(jìn)行全面的污染分析和評(píng)估。
兼容 300mm 晶圓廠
Fab配備標(biāo)準(zhǔn)FOUP/SMIF接口,兼容300mm/200mm晶圓。 它還支持各種AMHS,并通過支持主機(jī)和SECS/GEM協(xié)議來支持CIM/FA。
TXRF 310Fab 特點(diǎn)
TXRF 310Fab 規(guī)格
產(chǎn)品名稱 | TXRF 310 工廠 | |
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方法 | 全內(nèi)反射 X 射線熒光 (TXRF) | |
目的 | 微量元素表面污染的測(cè)量 | |
技術(shù) | 3 光束激發(fā)和自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn) | |
主要部件 | 旋轉(zhuǎn)陽極陰極X射線源,XYθ樣品臺(tái) | |
選項(xiàng) | 用于全工廠自動(dòng)化的 GEM-300 自動(dòng)化軟件 | |
控制((電腦) | 內(nèi)部 PC、MS Windows® 操作系統(tǒng) | |
機(jī)身尺寸 | 1200(寬)×2050(高)×2546(深)毫米 | |
大量的 | 1380公斤(身體) | |
電源 | 三相 200 VAC 50/60 Hz,30 A |