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半導(dǎo)體設(shè)備日本理學(xué)Rigaku射熒光射線分析儀
臺(tái)式全內(nèi)反射熒光X射線分析儀
可進(jìn)行高靈敏度元素分析的臺(tái)式全內(nèi)反射熒光射線分析儀。
半導(dǎo)體設(shè)備日本理學(xué)Rigaku射熒光射線分析儀
半導(dǎo)體設(shè)備日本理學(xué)Rigaku射熒光射線分析儀
高強(qiáng)度/高靈敏度測量
這是一款采用全內(nèi)反射熒光X射線分析的樣品表面微量元素。配備高輸出水冷X射線管和大面積SDD探測器,即使是臺(tái)式設(shè)備,也能實(shí)現(xiàn)普通熒光X射線分析無法獲得的高靈敏度分析。
通過添加內(nèi)標(biāo)元素、滴加、干燥,可以輕松分析飲用水或環(huán)境水中的ppb級(jí)痕量成分。
它適用于高基質(zhì)樣品的篩選分析,因?yàn)?ICP 分析存在的記憶效應(yīng)和設(shè)備污染風(fēng)險(xiǎn)較小。此外,通過掃描入射X射線角度,可以在深度方向上分析樣品表面上的沉積物和薄膜。
NANOHUNTER II 概述
高強(qiáng)度/高靈敏度測量
使用 600W 高功率 X 射線源、反射鏡和大面積 SDD 可以進(jìn)行高靈敏度測量。我們已實(shí)現(xiàn)有害元素 As、Se 和 Cd 的 ppb 級(jí)檢測限。
可選擇多種激發(fā)條件
在標(biāo)準(zhǔn)激發(fā)條件(Mo靶)下,可有效激發(fā)As、Pb等有害元素。
雙結(jié)構(gòu)多層膜允許使用高能激發(fā)條件(約30 keV),從而可以使用光譜相互重疊的Cd、Ag等的K線區(qū)域作為測量線。
可變?nèi)肷浣菣C(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)角度分辨測量
通過使用任意改變?nèi)肷浣堑臋C(jī)制,現(xiàn)在不僅可以獲得表面附近的元素信息,還可以獲得深度方向的元素信息。
用于薄膜深度分析的 GI-XRF
在固體表面分析領(lǐng)域,需要比表面略深入的分析(主要是薄膜和厚膜領(lǐng)域)。 對(duì)于這種類型的分析,采用一種稱為掠入射射線熒光 (GI -XRF) 的方法,通過改變 X 射線源的入射角來激發(fā)地下元素。 NANOHUNTER II TXRF 光譜儀的可變?nèi)肷浣强梢詫?duì)深度剖面進(jìn)行表面分析。 GI -XRF技術(shù)適用于納米級(jí)研究。
NANOHUNTER II 規(guī)格
產(chǎn)品名稱 | 納米獵人II | |
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方法 | 全內(nèi)反射射線熒光 (TXRF) | |
目的 | 液體和固體表面的高靈敏度超痕量元素分析 | |
技術(shù) | TXRF 和 GI-XRF | |
主要部件 | 600 W X 射線源,大面積探測器 (SDD) | |
選項(xiàng) | 氮?dú)饣蚝馓娲?/span> | |
控制(電腦) | 外部電腦 | |
機(jī)身尺寸 | 697(寬)×691(高)×597(深)(毫米) | |
大量的 | 100公斤(本體) | |
電源要求 | 單相100-240V,15A |